工業(yè)自動化最新文章 HBM3E內(nèi)存競賽升溫 4 月 10 日消息，韓媒 Sedaily 于 4 月 8 日發(fā)布博文，報(bào)道稱在美國新關(guān)稅政策的不確定性下，存儲巨頭們并未放緩腳步，反而加速角逐 HBM3E 市場。 IT之家援引博文報(bào)道，三星調(diào)整了 HBM3E 產(chǎn)品設(shè)計(jì)，計(jì)劃今年 4 月向英偉達(dá)大規(guī)模供應(yīng) 8H 版本。另一家韓國媒體 EBN 透露，若進(jìn)展順利，三星 12 層 HBM3E 有望 5 月獲得英偉達(dá)認(rèn)證。 SK 海力士長期稱霸 HBM 市場，但美光正迎頭趕上。另一家韓媒 Sisa Journal 指出，美光 3 月已通過 12 層 HBM3E 驗(yàn)證，并開始交付，支持英偉達(dá)最新 B300 產(chǎn)品。 發(fā)表于：4/11/2025 谷歌第七代TPU發(fā)布 谷歌第七代TPU發(fā)布：峰值算力可達(dá)4614TFLOPs 發(fā)表于：4/11/2025 消息稱三星電子向高通提供芯片原型 韓媒 fn News 當(dāng)?shù)貢r間昨日報(bào)道稱，三星電子旗下三星晶圓代工部門最近已向高通提供了芯片原型，有望獲得后者在 3nm 等尖端先進(jìn)制程上的芯片代工訂單。 發(fā)表于：4/11/2025 從元器件到測試系統(tǒng)：Pickering品英集團(tuán)55年為用戶構(gòu)建自動測試全生命周期降本增效生態(tài) 英國Pickering集團(tuán)將在2025年4月15-17日于上海新國際博覽中心舉辦的2025慕尼黑上海電子展（electronica China）中展出用于電子測試與驗(yàn)證的新型模塊化信號開關(guān)與仿真產(chǎn)品和高壓舌簧繼電器。 發(fā)表于：4/10/2025 歐洲重啟存儲芯片生產(chǎn) 4 月 8 日消息，德國鐵電存儲器公司（FMC）宣布與半導(dǎo)體企業(yè) Neumonda 達(dá)成戰(zhàn)略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片（FeRAM）生產(chǎn)線。 這是繼 2009 年英飛凌、奇夢達(dá)德國 DRAM 工廠破產(chǎn)關(guān)停后，歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產(chǎn)。 發(fā)表于：4/9/2025 臺積電或?qū)⒚媾R超10億美元罰款 當(dāng)?shù)貢r間4月8日早些時候，路透社援引兩名知情人士的話報(bào)道稱，臺積電可能面臨10億美元或更多的罰款，以解決美國對其間接違反出口管制政策替中企代工AI芯片的調(diào)查。 報(bào)道稱，某中企通過第三方違規(guī)在臺積電代工制造了近300萬顆AI芯片，但是臺積電并未及時發(fā)現(xiàn)。這也使得臺積電間接違反了美國的出口管制政策。 發(fā)表于：4/9/2025 SK海力士首次超越三星成為全球第一大DRAM供應(yīng)商 4月9日消息，根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint Research最新發(fā)布的2025年一季度DRAM市場追蹤報(bào)告顯示，SK海力士以36%的營收市占率首度超越三星電子，成為了全球第一大DRAM供應(yīng)商。排名第二的三星，其市占率為34%，低于SK海力士約2個百分點(diǎn)。緊隨其后的美光市占率為25%，其他廠商僅有5%的份額。SK海力士還預(yù)期，其營收與市占率的增長至少會持續(xù)到下一季。 發(fā)表于：4/9/2025 IBM同TEL續(xù)簽先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)合研發(fā)協(xié)議 4 月 9 日消息，IBM 和半導(dǎo)體設(shè)備巨頭 TEL 當(dāng)?shù)貢r間 2 日宣布在此前二十余年的聯(lián)合研發(fā)基礎(chǔ)上續(xù)簽一份為期 5 年的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)合作協(xié)議。 雙方的新協(xié)議專注于持續(xù)推進(jìn)下一代半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)和架構(gòu)的技術(shù)進(jìn)步，通過結(jié)合 IBM 的半導(dǎo)體工藝集成知識和 TEL 的尖端設(shè)備，探索可滿足未來生成式 AI 對性能與能效兩方面要求的尖端芯片，助力人工智能發(fā)展。 發(fā)表于：4/9/2025 晶圓代工業(yè)務(wù)慘淡 三星將數(shù)十名員工調(diào)往存儲部門 4月9日消息，據(jù)韓國《朝鮮日報(bào)》報(bào)導(dǎo)，三星電子半導(dǎo)體部門計(jì)劃將把晶圓代工業(yè)務(wù)的部分制造人員，轉(zhuǎn)移到存儲制造技術(shù)中心，以提高包括第六代高頻寬內(nèi)存（HBM4）在內(nèi)的下一代HBM生產(chǎn)能力。 發(fā)表于：4/9/2025 消息稱三星啟動1nm工藝研發(fā) 消息稱三星啟動1nm工藝研發(fā)：2029年后量產(chǎn) 發(fā)表于：4/9/2025 晶圓切割機(jī)大廠DISCO出貨額五個季度來首次下滑 4月8日消息，日本晶圓切割機(jī)廠商DISCO公布了2024財(cái)年第四財(cái)季（2025自然年一季度）財(cái)報(bào)，該季度非合并（個別）出貨額為766億日元，同比下滑2.5%，為自2023年四季度以來首度陷入萎縮。相比之下，在2024年第三財(cái)季（2024自然年四季度）DISCO非合并出貨額達(dá)908億日元、季度出貨額也創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。 發(fā)表于：4/9/2025 商務(wù)部：將12家美國實(shí)體列入出口管制管控名單 商務(wù)部：將12家美國實(shí)體列入出口管制管控名單 將護(hù)盾人工智能公司等6家美企列入“不可靠實(shí)體清單” 發(fā)表于：4/9/2025 美光宣布SSD將漲價 據(jù)報(bào)道，知情人士透露美光科技已告知美國客戶，計(jì)劃從周三起對部分產(chǎn)品征收附加費(fèi)。 這家在亞洲擁有多個制造基地的存儲巨頭表示，雖然半導(dǎo)體產(chǎn)品獲得關(guān)稅豁免，但內(nèi)存模塊和固態(tài)硬盤仍需繳納新關(guān)稅。 發(fā)表于：4/9/2025 東芝推出新型SCiB?鋰離子電池模塊 提升約2倍散熱性能！東芝推出新型SCiB?鋰離子電池模塊 適用于頻繁高倍率充放電使用場景 發(fā)表于：4/9/2025 東方晶源的“軟實(shí)力”：以技術(shù)創(chuàng)新破局半導(dǎo)體制造“良率革命” 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，良率始終是懸在行業(yè)頭頂?shù)倪_(dá)摩克利斯之劍。 尤其是隨著先進(jìn)制程不斷逼近物理極限，行業(yè)對良率提升的訴求愈發(fā)迫切。當(dāng)先進(jìn)制程突破5nm節(jié)點(diǎn)，每1%的良率提升都可能為晶圓廠帶來超過1.5億美元的利潤增量，而低于85%的良率則意味著工藝體系的全面失效。這種殘酷的“良率算術(shù)”背后，是芯片制造復(fù)雜度指數(shù)級增長與工藝容錯空間不斷收窄的現(xiàn)實(shí)難題。 發(fā)表于：4/9/2025 ?…3456789101112…?
