工業(yè)自動(dòng)化最新文章 市場(chǎng)監(jiān)管總局無條件批準(zhǔn)立訊精密收購聞泰科技部分業(yè)務(wù)案 6 月 5 日消息，今日市場(chǎng)監(jiān)管總局網(wǎng)站公布最新一批無條件批準(zhǔn)經(jīng)營(yíng)者集中案件列表，其中立訊精密工業(yè)股份有限公司收購聞泰科技股份有限公司部分業(yè)務(wù)案在列。 發(fā)表于：6/5/2025 美國(guó)對(duì)華GPU和主板等關(guān)稅暫停3個(gè)月 6月4日消息，中美關(guān)稅大戰(zhàn)再生變數(shù)！ 美國(guó)貿(mào)易代表辦公室(USTR)宣布，將暫停原定對(duì)中國(guó)征收25％的301條款關(guān)稅，時(shí)間為3個(gè)月。 發(fā)表于：6/5/2025 美光率先推出第六代10nm級(jí)LPDDR5xDRAM內(nèi)存 6 月 4 日消息，美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布在業(yè)界率先推出基于第六代 10nm 級(jí)制程（注：按美光命名為 1γ、1-gamma，按三星和 SK 海力士命名為 1c）的 LPDDR5x DRAM 內(nèi)存。 發(fā)表于：6/4/2025 IXD0579M高壓側(cè)低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器提供緊湊型即插即用解決方案 伊利諾伊州羅斯蒙特，2025年6月3日—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。 發(fā)表于：6/4/2025 Qorvo®推出高輸出功率倍增器QPA3311和QPA3316 近日，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）宣布推出兩款全新混合功率倍增放大器，進(jìn)一步加強(qiáng)其面向?qū)拵в芯€網(wǎng)絡(luò)的DOCSIS® 4.0產(chǎn)品陣容。這兩款新產(chǎn)品專門針對(duì)最高至1.8 GHz的下行傳輸進(jìn)行了優(yōu)化，可推動(dòng)行業(yè)向統(tǒng)一DOCSIS標(biāo)準(zhǔn)和智能放大器架構(gòu)的轉(zhuǎn)型，從而為混合光纖同軸（HFC）系統(tǒng)提供更強(qiáng)的可視性、更高的效率以及更好的適應(yīng)性。 發(fā)表于：6/4/2025 WSTS預(yù)測(cè)2025年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將超7000億美元 6月3日消息，世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)WSTS北京時(shí)間今日下午發(fā)布了其2025年春季半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)。該組織認(rèn)為2025年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到7009億美元（注：現(xiàn)匯率約合5.05萬億元人民幣），同比增長(zhǎng)11.2%。 發(fā)表于：6/4/2025 英特爾晶圓代工直指三星后院 6月4日消息，英特爾通過官網(wǎng)宣布，英特爾代工部門將于 6 月 24 日在韓國(guó)首爾舉行 Direct Connect Asia 活動(dòng)，這也是英特爾代工 Direct Connect 大會(huì)首次來到美國(guó)境外。英特爾代工部門表示，此次活動(dòng)將提供一個(gè)與其高管和技術(shù)專家深入交流的獨(dú)家機(jī)會(huì)。 發(fā)表于：6/4/2025 臺(tái)積電日本JASM第二晶圓廠項(xiàng)目動(dòng)工因交通不暢延遲 6 月 3 日消息，臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼總裁魏哲家在今日年度股東常會(huì)后接受采訪時(shí)確認(rèn)，臺(tái)積電在日控股子公司 JASM 的第二晶圓廠項(xiàng)目動(dòng)工出現(xiàn)略微延遲。 發(fā)表于：6/4/2025 AMD慶祝賽靈思成立40周年 40 年前，賽靈思（Xilinx）推出了一種革命性的設(shè)備，讓工程師可以在辦公桌上使用邏輯編程。 賽靈思開發(fā)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）使工程師能夠?qū)⒕哂凶远x邏輯的比特流下載到臺(tái)式編程器中立即運(yùn)行，而無需等待數(shù)周才能從晶圓廠返回芯片。如果出現(xiàn)錯(cuò)誤或問題，設(shè)備可以在那里重新編程。 發(fā)表于：6/4/2025 臺(tái)積電2nm制程投產(chǎn)在即 每片晶圓代工價(jià)格飆升至3萬美元 6月3日消息，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)工商時(shí)報(bào)報(bào)道，臺(tái)積電即將迎來 2 納米制程的投產(chǎn)，這一技術(shù)突破標(biāo)志著芯片制造領(lǐng)域進(jìn)入了一個(gè)新的時(shí)代。據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺(tái)積電的 2 納米制程從研發(fā)到量產(chǎn)的總成本高達(dá) 7.25 億美元，其代工價(jià)格也水漲船高，每片晶圓的代工價(jià)格飆升至 3 萬美元 發(fā)表于：6/3/2025 臺(tái)積電CEO否認(rèn)近期擬赴阿聯(lián)酋設(shè)廠傳聞 6 月 3 日消息，在今日舉行的臺(tái)積電年度股東常會(huì)上，臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼總裁魏哲家就近期有關(guān)臺(tái)積電擬赴阿聯(lián)酋建設(shè)大型晶圓廠項(xiàng)目的媒體傳聞作出簡(jiǎn)短回應(yīng)：“不會(huì)”。 發(fā)表于：6/3/2025 三星挖來臺(tái)積電前高管以開拓晶圓代工業(yè)務(wù) 6月3日消息，據(jù)韓媒Fnnews報(bào)道，三星電子為了強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力已經(jīng)聘請(qǐng)了臺(tái)積電前高管Margaret Han，擔(dān)任北美晶圓代工業(yè)務(wù)的負(fù)責(zé)人。過去Margaret Han曾在臺(tái)積電任職長(zhǎng)達(dá)21年，隨后轉(zhuǎn)戰(zhàn)英特爾及恩智浦等半導(dǎo)體大廠。 發(fā)表于：6/3/2025 Intel力拼2027年打造HBM內(nèi)存替代方案 6月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，Intel將與軟銀合作，共同開發(fā)一種可取代HBM內(nèi)存的堆疊式DRAM解決方案。 雙方成立了一家名為“Saimemory”的新公司，將基于英特爾的技術(shù)和東京大學(xué)等日本學(xué)術(shù)界的專利，共同打造原型產(chǎn)品。 該合作的目標(biāo)是在2027年前完成原型設(shè)計(jì)，并評(píng)估量產(chǎn)可行性，力爭(zhēng)在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。 發(fā)表于：6/3/2025 中國(guó)科學(xué)院物理研究所發(fā)現(xiàn)超帶隙透明導(dǎo)體 6 月 2 日消息，據(jù)中國(guó)科學(xué)院物理研究所官網(wǎng)，透明導(dǎo)體兼具導(dǎo)電性與透明性，廣泛應(yīng)用于觸控屏、太陽能電池、發(fā)光二極管、電致變色和透明顯示等光電器件，成為現(xiàn)代信息與能源技術(shù)中不可或缺的核心材料。 發(fā)表于：6/3/2025 消息稱瑞薩電子放棄生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體 6 月 3 日消息，《日經(jīng)亞洲》日本當(dāng)?shù)貢r(shí)間 5 月 29 日?qǐng)?bào)道稱，瑞薩電子已放棄制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體，原定于 2025 年初在群馬縣高崎市工廠啟動(dòng)生產(chǎn)的計(jì)劃破滅，相關(guān)生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)已于今年早些時(shí)候解散。 發(fā)表于：6/3/2025 ?…78910111213141516…?
