6月2日消息，據(jù)媒體報道，Intel將與軟銀合作，共同開發(fā)一種可取代HBM內(nèi)存的堆疊式DRAM解決方案。

雙方成立了一家名為“Saimemory”的新公司，將基于英特爾的技術和東京大學等日本學術界的專利，共同打造原型產(chǎn)品。

該合作的目標是在2027年前完成原型設計，并評估量產(chǎn)可行性，力爭在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。

目前大多數(shù)AI處理器都使用HBM芯片，這類芯片非常適合暫存處理的大量數(shù)據(jù)，但由于其制造工藝復雜、成本高昂，且容易過熱、耗電量大，限制了其廣泛應用。

雙方計劃通過堆疊DRAM芯片并優(yōu)化連接方式，新方案有望實現(xiàn)至少大一倍的存儲容量，同時將耗電量減少40%，并大幅降低成本。

軟銀將成為新公司的最大股東，出資約30億日元，公司計劃初期研發(fā)經(jīng)費約150億日元，如果這項技術成功，軟銀希望優(yōu)先獲得供應權。

由于AI芯片需求旺盛，HBM供應持續(xù)緊張，Saimemory希望通過這種替代產(chǎn)品，搶占至少日本數(shù)據(jù)中心的市場份額，此外這也是日本20多年來首次嘗試重返內(nèi)存芯片主要供應國之列。