工業自動化最新文章 復旦閃存新成果登Nature 突破閃存速度理論極限 史上最快的閃存器件，復旦團隊造！ 其研發的皮秒閃存器件“破曉（PoX）”登上了Nature，擦寫速度達到了亞納秒級，比現有速度快1萬倍。 并且數據不易丟失，按照實驗外推結果，保存年限可達十年以上。 發表于：4/23/2025 基于高云Arora-V 60K FPGA實現的MIPI CPHY轉MIPI DPHY透傳模塊 近期，高云代理商聯詮國際聯合合作伙伴DepEye（深目微）共同推出 MIPI CPHY轉DPHY (C2D)透傳模塊：DEGC2DV60，功能基于高云GW5AT-LV60 FPGA實現，該產品適用于需要從 MIPI CPHY RX 橋接到 MIPI DPHY TX 的應用場景。 發表于：4/22/2025 傳臺積電2nm已獲英特爾下單 4月22日消息，據臺媒《經濟日本》報道，繼AMD之后，晶圓代工大廠臺積電最新的2nm制程已經獲得了英特爾的下單。 發表于：4/22/2025 TrendForce：預計中國市場2025年人形機器人本體產值將超45億 4 月 21 日消息，TrendForce 集邦咨詢今日發文，中國市場已有 11 家主流人形機器人本體廠商在 2024 年開啟量產計劃，其中有 6 家如宇樹科技、優必選、智元機器人、銀河通用、眾擎機器人、樂聚機器人等廠商對 2025 年量產規劃超過千臺。 發表于：4/22/2025 消息稱三星電子正推動DRAM制程升級 4 月 22 日消息，臺媒《電子時報》今日稱，隨著三星電子推動 DRAM 內存制程工藝的策略性轉換升級，多款采用老舊 1y nm（第二代 10nm 級）工藝 DRAM 顆粒的 DDR4 模組（內存條）即將停產。 具體來看，多家供應鏈企業反饋收到產品 EOL（IT之家注：生命周期結束）通知函，多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 內存條的最后訂購日期是今年 6 年上旬，2025 年 12 月 10 日完成最后出貨。 發表于：4/22/2025 臺積電：無法保證半導體芯片不會被轉移到被禁企業 4月22日消息，據Tom's hardware報道，針對此前臺積電因在不知情的情況下為被美國列入黑名單的中企生產AI計算小芯片，或將面臨 10 億美元的罰款一事，臺積電在其最新的年度報告中承認，在其代工的芯片離開晶圓廠后，難以確保客戶不會將芯片轉移，以及了解芯片最終用途。換句話說，臺積電不能保證類似的事件不會重演。 發表于：4/22/2025 世強硬創重磅亮相2025慕尼黑上海電子展 世強硬創重磅亮相2025慕尼黑上海電子展 以創新技術賦能全球電子產業鏈升級 發表于：4/22/2025 前十占九！“中國機構正在主導全球芯片研究” 美國不斷加強對華芯片出口限制，試圖遏制中國獲取先進半導體。但美國最新研究顯示，中國研究人員已加緊努力，進行大量的基礎研究，目前在芯片設計和制造研究領域處于世界領先地位。 發表于：4/22/2025 印度提交埃米級芯片議案入局芯片戰 4月21日消息，印度聯合新聞社發布文章表示，印度頂尖研究機構印度科學研究所（IISc）的30名科學家團隊聯合向政府提交了一份開發“埃級”芯片的議案，該芯片的尺寸遠小于目前生產的最小芯片。 發表于：4/22/2025 臺積電美國廠4年巨虧400億臺幣 南京廠大賺800億臺幣 4月21日消息，臺積電一直積極赴美投資建廠，總額高達1650億美元，計劃建設六座晶圓廠、兩座封裝廠、一座研發中心，未來甚至落地2nm、1.6nm級別先進工藝，而因為種種原因，在內地只能部署一些成熟工藝。 根據臺積電最新公布的股東會年報，臺積電在美國亞利桑那州新建的工廠，2024年虧損近143億元新臺幣，成為最燒錢的海外廠區。 在此前三年，臺積電美國工廠因為一直處于前期投資建設階段，也是虧損連連，而且持續擴大，2021年、2022年、2023年分別達48.1億元新臺幣、94.3億元新臺幣、109.24億元新臺幣，四年合計虧損幾乎達到400億元新臺幣。 發表于：4/22/2025 高穩定性光纖激光器恒流驅動系統設計與實現 光纖激光器波長和輸出功率的穩定性易受泵浦源驅動電流波動的影響，為應對該問題，設計了一款高精度、高穩定性恒流驅動系統。恒流源部分采用閉環負反饋原理，通過金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）來控制恒流輸出，實現了對半導體激光器（LD）驅動電流的精準控制；限流保護電路利用二極管的限幅作用使LD免受過電流沖擊的影響，電流緩慢啟動采用軟件控制的方法確保LD免受浪涌電流損害；光功率探測電路采用ADA4530芯片，確保在極低光照水平下也可精準探測到功率輸出。實驗結果表明，該電路可實現驅動電流在0~1.2 A連續可調，電流短期（120 min）和長期（24 h）穩定性分別為±0.001 mA和±0.002 mA；激光器中心波長波動不超過±0.03 nm，輸出功率的穩定度不超過0.084 3%，精度小于±0.15 mW。 發表于：4/21/2025 基于多線縫隙耦合的Ka波段薄膜功分器設計 傳統的功分器結構由于高頻串擾明顯、阻抗變換線體積大等原因，難以滿足微波系統高頻率、小型化的需求。為此，提出一種基于多線縫隙耦合結構的Ka波段功分器。從電路拓撲出發，對該器件進行了電路設計、建模仿真與實驗驗證。測試結果表明，該器件具備良好的高頻性能，且表現出通帶兩側具有傳輸零點的濾波響應，實現了多線縫隙耦合的薄膜功分器設計。 發表于：4/21/2025 T型柵GaN HEMT微波器件ESD特性研究 對Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效機理與影響因素進行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效電壓分布情況，并結合微光顯微鏡定位了引起器件退化的異常點，進行了對應的微區分析。另外，還探究了T型柵幾何尺寸如柵腳、柵帽寬度與總柵寬等工藝參數對器件抗靜電能力的影響并進行相關機理分析，為器件ESD性能、可靠性的優化提供了方向與參考。 發表于：4/21/2025 器件級帶電器件模型靜電放電測試標準分析及應用 針對器件級帶電器件模型（CDM）靜電放電國內外主要測試標準進行了整理、分析與解讀。梳理了各標準之間的差異性和關聯性，明確了各標準的應用范圍與技術要點。深入研究了影響器件級帶電器件模型（CDM）靜電放電測試結果的因素與控制方法，提出了在標準應用過程中保障結果一致性和準確性的相關技術技巧，為器件級帶電器件模型（CDM）測試標準的選擇、測試和工程應用提供了指導。 發表于：4/21/2025 Arm已將Artan基礎IP業務出售給了Cadence 近日，EDA及半導體IP大廠Cadence宣布，已與Arm達成最終協議，收購Arm的Artisan基礎IP業務。該業務涵蓋標準單元庫、內存編譯器以及針對領先代工廠先進工藝節點優化的通用I/O（GPIO）。此次交易將增強Cadence不斷擴展的設計IP產品線，其核心產品包括領先的協議和接口IP、內存接口IP、適用于最先進節點的SerDes IP，以及即將收購的Secure-IC公司提供的嵌入式安全IP。 發表于：4/21/2025 ?12345678910…?
