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TrendForce預(yù)計2025年Q3 NAND閃存價格環(huán)比增幅有望達(dá)10%

5 月 26 日消息，市場分析機(jī)構(gòu) TrendForce 集邦咨詢今日表示，在 AI 需求刺激企業(yè)級固態(tài)硬盤需求顯著增長的背景下，預(yù)計 2025 年第三季度 NAND 閃存價格有望環(huán)比整張 10%。

發(fā)表于：5/27/2025

施奈仕用膠解決方案：用膠粘技術(shù)重構(gòu)變頻器防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)

在工業(yè)自動化領(lǐng)域，變頻器作為核心控制設(shè)備，其穩(wěn)定性與壽命直接影響整機(jī)性能。然而，復(fù)雜的使用環(huán)境對變頻器PCB電路板的防護(hù)提出了嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。山東匯科電氣技術(shù)有限公司正是在這一行業(yè)痛點(diǎn)中，通過與施奈仕的深度合作，以創(chuàng)新膠粘技術(shù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品競爭力的跨越式提升。

發(fā)表于：5/27/2025

臺積電發(fā)強(qiáng)硬聲明硬杠美國芯片關(guān)稅

5月26日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道，美國商務(wù)部針對半導(dǎo)體關(guān)稅的所謂“232調(diào)查”意見報告即將出爐，半導(dǎo)體關(guān)稅呼之欲出。近日，晶圓代工龍頭臺積電致函美政府的全文首度曝光，其措詞強(qiáng)硬地警告稱，若美方執(zhí)意對芯片征收進(jìn)口關(guān)稅，將影響該公司在美國亞利桑那州的投資計劃。

發(fā)表于：5/27/2025

環(huán)球晶圓加入Wolfspeed客戶爭奪戰(zhàn)

5月26日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》報道，針對近日全球碳化硅（SiC）龍頭Wolfspeed將申請破產(chǎn)保護(hù)一事，半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表示，希望爭取Wolfspeed原來合作客戶轉(zhuǎn)單的機(jī)會。

發(fā)表于：5/27/2025

礪算科技成功點(diǎn)亮國內(nèi)第一顆6nm GPU

5月26日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報道稱，又一款高性能國產(chǎn)GPU已封裝回片并成功點(diǎn)亮。據(jù)礪算科技高管透露，礪算科技首款GPU芯片已封裝回片并成功點(diǎn)亮。

發(fā)表于：5/27/2025

消息稱臺積電有望多年代工谷歌Tensor手機(jī)SoC

5 月 26 日消息，谷歌今年下半年推出的新一代旗艦安卓智能手機(jī) Pixel 10 系列預(yù)計搭載臺積電以 3nm 節(jié)點(diǎn)代工的 Tensor G5 AP（注：應(yīng)用處理器），這也會是谷歌 Tensor G 系列首度導(dǎo)入非三星制程。

發(fā)表于：5/26/2025

三星將在2028年前采用玻璃中介層技術(shù)

5月25日消息，據(jù)ET新聞報道，三星電子計劃從 2028 年開始在芯片封裝中采用玻璃中介層，預(yù)計可以提供更好的性能、更低的成本和更快的生產(chǎn)，將徹底改變 AI芯片封裝。在芯片制造中，中介層是 2.5D 芯片封裝的關(guān)鍵部件，尤其是對于 AI 芯片來說，比如GPU和高帶寬內(nèi)存（HBM）需要依靠中介層來連接這兩個組件，以實(shí)現(xiàn)更快的通信。雖然傳統(tǒng)的硅中介層很有效，但其成本遠(yuǎn)高于玻璃中介層，而且玻璃中介層對超精細(xì)電路具有更高的精度和更高的尺寸穩(wěn)定性。玻璃中介層的優(yōu)勢絕對超過了傳統(tǒng)的硅中介層，這使它們成為下一代 AI 芯片的關(guān)鍵技術(shù)。

發(fā)表于：5/26/2025

耐高溫灌封膠：性能特點(diǎn)與行業(yè)應(yīng)用詳解

在現(xiàn)代工業(yè)的快速發(fā)展中，各種電子、電氣設(shè)備在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行需求日益凸顯。耐高溫灌封膠作為一種關(guān)鍵的封裝材料，能夠在高溫條件下為電子元件、機(jī)械部件等提供有效的保護(hù)，防止其受到高溫、潮濕、腐蝕等惡劣環(huán)境的影響，確保設(shè)備的性能和可靠性。施奈仕，作為深耕十多年電子膠粘劑領(lǐng)域的創(chuàng)新性企業(yè)，憑借自主研發(fā)的灌封膠產(chǎn)品及用膠技術(shù)解決方案，在行業(yè)內(nèi)擁有著良好口碑。施奈仕以多年對灌封膠的研究與認(rèn)識，帶大家認(rèn)識耐高溫灌封膠的應(yīng)用和特點(diǎn)！

發(fā)表于：5/26/2025

傳鴻海將30億美元競標(biāo)UTAC 加速半導(dǎo)體垂直整合

5月26日消息，據(jù)媒體報道，中國臺灣電子代工巨頭鴻海集團(tuán)（富士康）正考慮競標(biāo)新加坡半導(dǎo)體封裝測試企業(yè)聯(lián)合科技控股（UTAC），交易估值或達(dá)30億美元。據(jù)知情人士透露，UTAC母公司北京智路資本已聘請投行杰富瑞主導(dǎo)出售事宜，預(yù)計本月底前接收首輪報價。目前各方均未對此置評。值得關(guān)注的是，UTAC在中國大陸的業(yè)務(wù)布局使其成為非美資戰(zhàn)略投資者的理想標(biāo)的。作為全球最大電子代工商和蘋果核心供應(yīng)商，鴻海近年來持續(xù)加碼半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局。

發(fā)表于：5/26/2025

HBM4制造難度及成本將更高

5月22日消息，根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce最新發(fā)布的研究報道稱，受益于AI芯片需求的帶動，三大DRAM原廠正積極推動HBM4 產(chǎn)品進(jìn)度。但因HBM4的I/O 數(shù)量增加，復(fù)雜芯片設(shè)計也使得所需的晶圓面積增加，且部分供應(yīng)商產(chǎn)品改為采邏輯基低芯片構(gòu)架以提高性能，這些都將帶來成本的提升。鑒于HBM3e剛剛推出時溢價比例約20%，制造難度更高的HBM4的溢價幅度或突破30%。

發(fā)表于：5/23/2025

Deca攜手IBM打造北美先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地

當(dāng)?shù)貢r間5月22日，Deca Technologies 宣布與IBM 簽署協(xié)議，將Deca 旗下的M-Series 與Adaptive Patterning 技術(shù)導(dǎo)入IBM 位于加拿大魁北克省Bromont 的先進(jìn)封裝廠。根據(jù)此協(xié)議，IBM 將建立一條大規(guī)模生產(chǎn)線，重點(diǎn)聚焦于Deca 的M-Series Fan-out Interposer 技術(shù)（MFIT）。通過結(jié)合IBM 的先進(jìn)封裝能力與Deca 經(jīng)市場驗(yàn)證的技術(shù)，雙方將攜手?jǐn)U展高效能小芯片整合與先進(jìn)運(yùn)算系統(tǒng)的全球供應(yīng)鏈。

發(fā)表于：5/23/2025

三星押注1c DRAM挑戰(zhàn)SK海力士HBM霸主地位

5 月 23 日消息，HBM4 已成為內(nèi)存巨頭的新競技場，三星正通過激進(jìn)投資縮小與 SK 海力士的差距。科技媒體 ZDNet Korea 昨日（5 月 22 日）報道稱，三星計劃在韓國華城和平澤擴(kuò)大 1c DRAM（第六代 10nm 級）生產(chǎn)，相關(guān)投資將在年底前啟動。 IT之家援引博文介紹，SK 海力士和美光選擇 1b DRAM 作為 HBM4 的基礎(chǔ)技術(shù)，而三星大膽押注更先進(jìn)的 1c DRAM，表明三星有信心提升 1c DRAM 良率。

發(fā)表于：5/23/2025

TLSM系列輕觸開關(guān)為高使用率設(shè)備提供200萬次長使用壽命

2025年5月22日訊，伊利諾伊州羅斯蒙特市—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日隆重推出適用于表面貼裝技術(shù)(SMT)的TLSM系列輕觸開關(guān)。

發(fā)表于：5/22/2025

消息稱臺積電已婉拒印度等地的設(shè)廠邀約

5 月 21 日消息，Digitimes 今日報道稱，臺積電已正式回絕印度政府建廠邀約，這也促使印度轉(zhuǎn)向與力積電（PSMC）達(dá)成合作協(xié)議。這是臺積電繼拒絕卡塔爾、新加坡后，再次婉拒海外設(shè)廠邀請。

發(fā)表于：5/22/2025

美國碳化硅大廠Wolfspeed即將申請破產(chǎn)

5月21日消息，據(jù)《華爾街日報》報導(dǎo)，由于難以解決債務(wù)問題，美國碳化硅（SiC）大廠Wolfspeed正準(zhǔn)備在數(shù)周內(nèi)申請破產(chǎn)。

發(fā)表于：5/22/2025