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無線傳感器網絡及其應用

無線傳感器網絡是一種自組織網絡，具有快速展開、抗毀性強等特點，廣泛應用于國防軍事、國家安全、環境監測等方面。本文根據光纜干線預防性維護需求和無線傳感器網絡的特點，給出了基于無線傳感器網絡的光纜干線預警系統的設計方案。

發表于：2/23/2012

Diodes為業界標準的555定時器集成電路提供直接替代元件

Diodes公司推出一系列價格實惠的555定時器集成電路，以繼續擴充其標準線性產品組合。Diodes推出的首批三款定時器，專為直接替換經久不衰的業界標準元件而設計。其操作溫度范圍寬廣，滿足商業及工業級產品標準的要求，包括適用溫度介于0ºC和+70ºC 的NE555、介于-40ºC和+85ºC 的SA555，以及介于-40ºC和+105ºC 的NA555。

發表于：2/23/2012

美光與爾必達合并可能震動DRAM市場

據IHS iSuppli公司的DRAM市場研究簡報，美國美光與日本爾必達如果合并，可能導致DRAM產業格局發生劇烈變化。

發表于：2/16/2012

FCI推出多端口和單端口RJ45模塊插座連接器

作為一家領先的連接器和連接系統供應商，FCI正在擴大其模塊插座生產線，提供多端口和單端口RJ45連接器。該模塊插座適用于寬帶交換機、集線器、路由器、服務器和通信應用。與傳統的完全鍍金版本相比，FCI的可選鍍金RJ45連接器保持原有的耐用性或性能，具有明顯的競爭優勢。

發表于：2/16/2012

RS Components加大亞太投資力度　大幅增加8萬多件最暢銷產品庫存　確保了高需求產品的供應

世界領先電子產品和維修產品的高端服務分銷商、Electrocomponents plc( http://www.electrocomponents.com )集團公司（LSE：ECM）的貿易品牌RS Components( http://www.rs-components.com )公司，今天宣布近期已在亞太地區增加8萬多件產品庫存，目前這些產品儲存于公司位于澳大利亞、中國內地、香港、日本和新加坡的主要倉庫中。本地區的客戶現可以盡情挑選該公司電子、維護及自動化和控制等各類產品組合，并享受更快速的交付服務。　

發表于：2/15/2012

益登科技與Packet Digital宣布達成代理協議

專業電子元器件代理商益登科技（TSE:3048）與Packet Digital達成代理協議，此次的合作結盟為Packet Digital的PowerSage集成電路產品在全球銷售市場的一大進展。PowerSage集成電路產品具備按需用電（On-Demand Power）專利技術，使得益登科技的電源產品線更加完善，并可滿足其廣大客戶的省電需求。

發表于：2/15/2012

TE電路保護部推出面向各種高數據速率應用的、業界最低電容的硅靜電放電保護器件

TE Connectivity旗下的一個業務部門TE電路保護部日前發布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護器件，可提供市場上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為0.20pF）、最高的ESD保護（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。

發表于：2/15/2012

同步降壓型控制器利用 mΩ 以下的 DCR 檢測提供真正的電流模式控制

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出電流模式同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3866，該控制器采用了一種新穎的 DCR 檢測架構，此架構可改善電流檢測信號的信噪比，從而允許使用非常低 DC 電阻的功率電感器。可采用一個低至 0.17mΩ 的功率電感器 DC 電阻，以最大限度地提高轉換器效率并增加功率密度。這種新型 DCR 檢測方法大幅降低了低 DCR 電阻應用中常見的開關抖動。DCR 溫度補償功能電路可在寬廣的溫度范圍內保持一個恒定和準確的電流限制門限。

發表于：2/9/2012

恩智浦推出最高支持1.5A的突破性0.37mm超平封裝肖特基整流器

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日宣布推出面向移動設備市場的新一代低VF肖特基整流器，標志著其為小型化發展設立了新的重要基準。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封裝典型厚度僅為0.37 mm，尺寸為1.6 x 0.8 mm，是市場上支持最高1.5A電流的最小器件。DFN1608D-2共包括六個型號的肖特基勢壘整流器：其中三款為針對極低正向電壓的20V型號，另外三款為針對極低反向電流的40V型號。平均正向電流范圍為0.5至1.5A。

發表于：2/9/2012

飛兆半導體和英飛凌科技進一步擴展功率MOSFET兼容協議為客戶保證供貨穩定性

全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。

發表于：2/8/2012

雙輸出、多相降壓型 DC/DC 控制器可與 Power Block 及 DrMOS 器件運行

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3861，該控制器可與外部功率鏈器件 (如 Power Block 和 DrMOS)、以及分立式 N 溝道 MOSFET 和相關的柵極驅動器配合工作，從而實現了靈活的設計配置。可并聯多達 12 相和異相定時運作，以最大限度地減少輸入和輸出濾波，從而滿足非常高的電流要求 (高達 300A)。其應用包括高電流功率分配以及工業系統、DSP 和 ASIC 電源。

發表于：2/8/2012

瑞薩宣布開發出在單芯片中集成電源轉換電路的低損耗碳化硅（SiC）功率器件

全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”）宣布開發出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC）——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯合開發的技術，有助于實現低功耗。與瑞薩采用傳統硅（Si）的現有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。

發表于：2/8/2012

瑞薩宣布開發出在單芯片中集成電源轉換電路的低損耗碳化硅（SiC）功率器件

全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”）宣布開發出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯合開發的技術，有助于實現低功耗。與瑞薩采用傳統硅（Si）的現有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。

發表于：2/8/2012

富士通半導體推出基于0.18 µm技術的全新5V I2C接口FRAM

富士通半導體（上海）有限公司近日宣布推出其基于0.18µm技術的全新系列FRAM產品家族。該系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 兩個型號，均支持I2C接口且可在5V電壓下工作，即日起即可供貨。　

發表于：2/7/2012

Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存儲器

　世界領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統設計開創了全新的機遇。FM25P16是Ramtron低功耗存儲器系列中的首個產品，其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一，并具有快速讀/寫特性和幾無乎無限次的耐用性。

發表于：2/7/2012

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