微波射頻相關文章 Diodes新型 MOSFET離板高度減半 Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為-25V的P通道器件，體積較同類器件纖薄50%。同系列另一采用DFN2020E封裝的MOSFET則具有0.5毫米離板高度，較其他一般離板高度為0.6毫米的MOSFET纖薄20%。 發表于：5/2/2012 基于無線傳感網絡的智能溫室大棚監控系統 針對傳統人工采集費時費力和有線監控布線復雜、維護困難的局限性，將傳感器與ZigBee無線網絡技術相結合，提出了無線傳感網絡的智能溫室大棚監控系統的設計方案。該系統利用ZigBee技術實現對采集數據及信息的無線收發，通過公共網關接口CGI將數據和控制信息傳送到互聯網。操作人員可從遠距離的PC機上實時查看數據、實施控制，從而實現了真正意義的遠程監控。 發表于：4/27/2012 基于單片機的無線病房呼叫系統設計 在傳統病房呼叫系統的基礎上提出一種基于單片機實現的無線病房呼叫系統設計方法，給出了基于單片機和射頻通信芯片nRF401而設計的硬件原理圖，并對影響無線通信性能的通信協議的設計、數據幀和防信息碰撞方法的實現及混合信號PCB板設計等做了較詳細的探討。 發表于：4/25/2012 瑞薩電子推出低功耗，超小型功率MOSFET，為便攜式裝置提供更高的功效和更小的封裝尺寸 全球領先的半導體和解決方案的主要供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）今天宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金屬氧化半導體場效晶體管（MOSFET）產品，理想用于包括智能手機和筆記本在內的便攜式電子產品。具有業界領先的低功耗（低導通電阻），新器件包括20 V (VDSS) µPA2600和30 V µPA2601，配置了超緊湊型2 mm× 2 mm封裝，從而具有提升的功率效率并實現了小型移動器件封裝尺寸的小型化。 發表于：4/19/2012 能源計量的多傳感器信息系統解決方案 節能減排以能源計量技術為基礎，作為分支計量學科的能源計量是技術與管理結合體的、復雜的、邊沿性的重要社會活動。以量、質、損、殘、存等的能源計量系統是能源量及使用程度的計量系統。 發表于：4/12/2012 存儲技術變局為中國制造帶來了什么機遇？ 縱觀半導體發展歷史，一種新興技術的出現，影響的不只是個別公司的興衰，更是推動了某個產業的轉型，新技術是變革者趕超傳統技術列強的利器，也是產業升級的動力源，當年的光盤存儲技術興起，就帶動了中國整體光盤機產業，現在，我們又將迎來新一輪的存儲技術變局---以NAND FLASH為代表的半導體存儲技術會給我們的本土企業帶來了什么機遇？這里結合自己的體會聊做分析。 發表于：3/29/2012 進化論讓MEMS產業在震后變得更加強大 進化論認為適者生存，這有時是一個殘酷的自然選擇過程，幸存的都是比較強壯和適應能力較強的生物體。對于MEMS市場來說，日本地震就相當于一個進化論事件，災后供應鏈變得更加豐富、更加多樣化，也更適應成長。 發表于：3/27/2012 新日本無線開發了壓電式蜂鳴器驅動IC，最適合于醫療保健器械、安防監控設備等 新日本無線株式會社成功開發了內置電荷泵的壓電式蜂鳴器驅動IC NJU72501，并已經開始投入生產了。此驅動IC最適合于驅動醫療保健器械及安防監控設備上裝置的壓電式蜂鳴器或壓電式報警器。 發表于：3/19/2012 爾必達破產勢必推升DRAM價格和營業收入 據IHS iSuppli公司的內存與存儲研究報告，日本爾必達本周申請破產保護，將有利于DRAM市場中剩余的其它廠商，因為此舉將導致今年下半年供應減少、提振價格和營業收入。 發表于：3/14/2012 大容量NANDFlash在多媒體手機中的應用 在多媒體手機中NANDFlash主要用來存儲多媒體數據（圖片、語音文件等）。在實際應用中不會對NANDFlash進行頻繁的寫入和擦除操作，而且多媒體數據對數據的完整性要求也不是很高，但是多媒體數據的數據量較大。這些特征決定了使用NANDFlash來存儲多媒體數據是十分恰當的，這也正是業界的通行做法。 發表于：3/9/2012 意法半導體（ST）傳感器大幅提升室內導航精度 意法半導體（STMicroelectronics）在剛剛結束的巴塞羅那移動通信世界大會上展示了世界上最精確的手機室內定位應用。作演示的智能手機包含了CSR公司的最前沿的SiRFusionTM 定位技術和意法半導體的優化的MEMS (微機電系統)慣性測量單元。這個演示證明，即使在沒有全球導航衛星系統（GNSS）衛星信號的情況下，定位精度也能達到幾米的范圍內。 發表于：3/9/2012 新日本無線開發了針對智能手機的低插入損耗、小型大功率開關 新日本無線株式會社(總部:東京都中央區 代表取締役社長 小倉 良)成功開發了最適合于智能手機頻段切換并具有低插入損耗、小型等特點的大功率開關NJG1681MD7/NJG1682MD7，現已經開始投入生產。 發表于：3/2/2012 瑞薩電子強化全球采購體系 新設全球采購推進室 發表于：2/29/2012 ADI戰術級MEMS產品 挑戰高端應用 據IHS iSuppli公司預測，2011年中國MEMS消費增長約10%，銷售額將達到16億美元，至2015年則將達到26億美元，復合年度增長率為12.1%，市場前景極為可觀。而且汽車與工業MEMS市場增長速度將僅次于消費電子市場。 發表于：2/27/2012 瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET，可提高筆記本電池的功率效率 全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導體場效應晶體管（MOSFET）系列產品，包括用于筆記本電腦中鋰離子（Li-ion）二級電池的充電控制開關和與AC適配器進行電源轉換的電源管理開關等用途進行最佳化的µPA2812T1L。 發表于：2/27/2012 ?…87888990919293949596…?
