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瑞薩電子發(fā)布擁有世界頂級超高開關(guān)速度，且集成IGBT柵極驅(qū)動保護功能的光電耦合器

全球領(lǐng)先的半導體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今天宣布發(fā)布兩款帶有集成絕緣柵門極晶體管（IGBT）[注釋1]保護功能的全新光電耦合器：PS9332L 和PS9332L2，這兩款光電耦合器適用于工業(yè)機械和太陽能系統(tǒng)等應(yīng)用條件。

發(fā)表于：2/5/2013

瑞薩電子宣布推出適用于功率效率更高、緊湊型服務(wù)器電源的低通態(tài)電阻功率MOSFET

全球領(lǐng)先的半導體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）于今天宣布推出三種新型的低通態(tài)電阻MOSFET 產(chǎn)品，包括在網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器和存儲系統(tǒng)內(nèi)的電源裝置中作為ORing [注釋3] FET使用的 µPA2766T1A。

發(fā)表于：2/4/2013

Avago Technologies推出新一代智能門驅(qū)動光電耦合器

有線、無線和工業(yè)應(yīng)用模擬接口零組件領(lǐng)先供應(yīng)商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 宣布推出一款高度集成的新智能門驅(qū)動光電耦合器產(chǎn)品，ACPL-339J為面向MOSFET緩沖器高電壓和低電壓側(cè)門驅(qū)動應(yīng)用進行優(yōu)化，具有雙輸出的1A電流輸出門驅(qū)動光電耦合器，ACPL-339J內(nèi)置定時主動控制電路，可以避免交越傳導并極小化MOSFET緩沖電路的開關(guān)損耗。

發(fā)表于：2/1/2013

Vishay推出可承受12kV高壓浪涌的業(yè)內(nèi)首款軸向水泥繞線電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列軸向水泥繞線電阻---Z300-C系列，是業(yè)內(nèi)首個具有12kV定制高壓浪涌承受能力的器件。

發(fā)表于：1/29/2013

TT electronics電阻系列產(chǎn)品全面增強浪涌和脈沖保護能力

TT electronics公司推出全面的繞線電阻系列，具有范圍從2W至7W的業(yè)界最高額定浪涌能量。WHS系列防燃電阻適用于廣泛的脈沖應(yīng)用，特別瞄準需要線路輸入電阻來實現(xiàn)啟動電流限制和保護的電源設(shè)計人員的需求。

發(fā)表于：1/25/2013

美高森美擴展碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品系列

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide，SiC)標準功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。該功率模塊系列還提供了更寬的溫度范圍，以期滿足下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對更高的功率密度、工作頻率和效率的要求。

發(fā)表于：1/25/2013

恩智浦推出針對熱插拔應(yīng)用的新一代功率MOSFET

憑借在功率MOSFET領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）近日推出了其NextPower Live產(chǎn)品組合，設(shè)計出專門用于“熱插拔”環(huán)境的全新線性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS（on）值，該獨特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力。

發(fā)表于：1/24/2013

殘留頻差對自適應(yīng)陣列天線的影響

自適應(yīng)陣列天線可以通過數(shù)字下變頻實現(xiàn)信號正交化，把中頻數(shù)字信號轉(zhuǎn)換到零中頻，然后進行加權(quán)求和。分析了變頻過程中因沒有進行載波同步所導致的殘留頻差對自適應(yīng)陣列天線算法的影響。通過詳細的理論分析表明，只要上、下變頻采用相同本振，殘留頻差對算法并沒有影響，即使對帶通采樣系統(tǒng)，該結(jié)論同樣成立。對頻譜、陣列增益的仿真證明了理論分析的正確性。

發(fā)表于：1/23/2013

Vishay推出新款MICROTAN®片式鉭電容器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于空間受限的消費電子產(chǎn)品的新系列模塑MICROTAN®片式鉭電容器--- TL8。該系列器件使用高容量效率的封裝方案，提供業(yè)內(nèi)最高的容量電壓等級在高度0.8mm～1.0mm的低外形0805尺寸的器件。

發(fā)表于：1/22/2013

Diodes新型直流/直流轉(zhuǎn)換器提升輕載效率

Diodes公司(Diodes Incorporated) 為了讓電子產(chǎn)品能達到輕載及待機狀態(tài)能源效率標準，推出AP65200同步直流/直流降壓轉(zhuǎn)換器。該轉(zhuǎn)換器在200mA輕載下的效率可高達96%，即使負載低至20mA仍能維持70%以上的效率。該轉(zhuǎn)換器具有高集成度，需要很少的外部元件，適合于電視、顯示屏及機頂盒等消費性電子產(chǎn)品內(nèi)的分布式供電架構(gòu)。

發(fā)表于：1/17/2013

Vishay新款表面貼裝TRANSZORB®雙向TVS具有3kW的高浪涌能力

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用SMC DO-214AB封裝的新系列表面貼裝TRANSZORB®雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)--- SMC3K。該系列器件在10/1000μs下的浪涌能力達到3kW，可用于汽車和電信應(yīng)用。

發(fā)表于：1/15/2013

電源設(shè)計小貼士 49：多層陶瓷電容器常見小缺陷的規(guī)避方法

因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻(ESR)、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷(MLC) 電容器在電源電子產(chǎn)品中變得極為普遍。一般而言，它們用在電解質(zhì)電容器 leiu中，以增強系統(tǒng)性能。相比使用電解電容器鋁氧化絕緣材料時相對介電常數(shù)為 10 的電解質(zhì)，MLC 電容器擁有高相對介電常數(shù)材料(2000-3000) 的優(yōu)勢。這一差異很重要，因為電容直接與介電常數(shù)相關(guān)。在電解質(zhì)的正端，設(shè)置板間隔的氧化鋁厚度小于陶瓷材料，從而帶來更高的電容密度。

發(fā)表于：1/15/2013

Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導通電阻的TrenchFET®功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT®封裝

發(fā)表于：1/14/2013

Marvell推出DragonFly NVDRIVE PCIe SSD高速緩存加速器

全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導廠商美滿電子科技（Marvell，NASDAQ: MRVL）今日宣布，推出交鑰匙型企業(yè)級PCIe SSD高速緩存解決方案Marvell® DragonFly? NVDRIVE，該解決方案具備內(nèi)置的SSD模塊，擴展了Marvell獲獎的DragonFly NVCACHE和NVRAM適配器產(chǎn)品系列的功能，這兩種適配器產(chǎn)品是去年8月首次發(fā)布的。DragonFly NVDRIVE面向大規(guī)模互聯(lián)網(wǎng)和云計算數(shù)據(jù)中心，極大地擴展了裸機和虛擬化服務(wù)器應(yīng)用的規(guī)模，其中包括Web服務(wù)器、OLTP和分析數(shù)據(jù)庫以及NoSQL和分布式大數(shù)據(jù)應(yīng)用。

發(fā)表于：1/6/2013

東芝半導體 & 存儲產(chǎn)品公司獲得ISO 14001綜合認證

東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布，其半導體& 存儲產(chǎn)品公司(S&S Co.)的全球運營基地于10月底獲得了ISO 140011綜合認證。

發(fā)表于：12/27/2012

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