Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻的TrenchFET®功率MOSFET
2013-01-14
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業內最低的導通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT®封裝。
在智能手機、平板電腦和移動計算設備等便攜式電子產品的電源管理應用中，今天推出的器件將用于電池和負載切換。MOSFET的小尺寸可節約PCB空間，實現超薄的外形，讓便攜式電子產品變得更薄、更輕，而且器件的低導通電阻能夠實現更低的傳導損耗，從而降低能耗，延長兩次充電間的電池壽命。器件的低導通電阻還意味著在負載開關上的壓降更低，防止出現討厭的欠壓鎖定現象。
對于導通電阻比空間更重要的應用場合，8V N溝道Si8424CDB和20V P溝道Si8425DB在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻分別為20mΩ和23mΩ。器件采用1.6mm x 1.6mm x 0.6mm CSP封裝。更小的1mm x 1mm x 0.55mm的Si8466EDB 8V N溝道MOSFET在4.5V下的最大導通電阻為43mΩ，將用于空間比導通電阻更重要的應用場合。Si8466EDB的典型ESD保護達到3000V。
Si8466EDB和Si8424CDB可在1.2V電壓下導通，可與手持設備中常見的更低電壓的柵極驅動和更低的總線電壓配合工作，省掉電平轉換電路的空間和成本。今天推出的所有器件都符合RoHS指令2011/65/EU，符合JEDEC JS709A的無鹵素規定。
Si8466EDB、Si8424CDB和Si8425DB是MICRO FOOT家族的最新成員，詳見http://www.vishay.com/mosfets/micro-foot-package/。
器件規格表：
|
型號 |
Si8466EDB |
Si8424CDB |
Si8425DB |
|
|
極性 |
N |
N |
P |
|
|
VDS (V) |
8 |
8 |
- 20 |
|
|
RDS(ON) (mΩ) max. @ |
4.5 V |
43 |
20 |
23 |
|
2.5 V |
46 |
21 |
27 |
|
|
1.8 V |
- |
23 |
40 |
|
|
1.5 V |
60 |
28 |
- |
|
|
1.2 V |
90 |
45 |
- |
|
|
外形尺寸(mm x mm) |
1 x 1 |
1.6 x 1.6 |
1.6 x 1.6 |
|
|
高度(mm) |
0.55 |
0.6 |
0.6 |
|
新款TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站www.vishay.com。