微波射頻相關(guān)文章 基于AS3990/AS3991的超高頻RFID讀寫器的設(shè)計 介紹了超高頻RFID讀寫專用芯片AS3990/AS3991的主要功能與特點，以及采用這款芯片設(shè)計讀寫器的整體方案。分析了在兼容ISO18000-6A/B協(xié)議的工作模式下，對解碼、校驗電路處理速度的最低要求；介紹了直接采用MCU進行解碼、校驗的方法，并為設(shè)計讀寫器選取合適的MCU提供了依據(jù)。 發(fā)表于：5/17/2010 應(yīng)用RFID技術(shù)實現(xiàn)醫(yī)用植入裝置的通信 典型的醫(yī)用植入裝置由體外部分和植入體兩部分組成，二者之間通過射頻載波傳輸能量和信息，這與廣泛應(yīng)用的射頻識別技術(shù)非常相似。本文分析研究了它們在技術(shù)和應(yīng)用層面的特點，提出了一種基于商用RFID技術(shù)及其器件實現(xiàn)的醫(yī)用植入裝置雙向通信的設(shè)計，對于具體實現(xiàn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)、必要的技術(shù)裁剪和技術(shù)擴展進行了較為詳細的介紹。 發(fā)表于：5/17/2010 泰科電子新型POLYZEN器件滿足USB掛起模式下的功耗要求 美國加利福尼亞州MENLO PARK，2010年5月17日 —泰科電子（Tyco Electronics）今天宣布推出PolyZen? ZEN059V130A24LS 器件。這款集成器件可為帶有USB接口的電子產(chǎn)品提供全面電路保護，同時滿足USB3.0掛起模式下的功耗要求。 發(fā)表于：5/17/2010 5月DRAM合約價出爐 DDR2持平 DDR3小漲 原本進入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預(yù)期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%；DRAM業(yè)者認為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果，算是滿意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價的空間？ DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價位。 發(fā)表于：5/17/2010 機臺遞延交貨 DRAM大廠40奈米戰(zhàn)局延后 全球DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12吋晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進45奈米制程的目標，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨，比原訂時程晚了2~3個月，內(nèi)部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進63奈米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40奈米正式對決時間點，會是在2011年！ 發(fā)表于：5/12/2010 ADI公司的第四代高性能低功耗MEMS陀螺儀支持惡劣工業(yè)環(huán)境的應(yīng)用 ADI公司的 iMEMS® ADXRS450是極其穩(wěn)定、抗振動、低功耗的MEMS陀螺儀，具有0.03°/sec/g的線性加速度靈敏度，功耗僅為6mA。 發(fā)表于：5/12/2010 Spansion完成破產(chǎn)法第十一章重整，成功脫離破產(chǎn)保護 2009年3月1日，Spansion申請第11章破產(chǎn)保護。2009年10月26日，公司第一次提交重組計劃，其修訂后的披露聲明于2009年12月22日獲得美國破產(chǎn)法院批準。2010年4月16日，Spansion重組計劃獲得美國破產(chǎn)法院認可并于2010年5月10日正式脫離第11章。隨著Spansion成功脫離第11章，Spansion以往的普通股將被取消，不再交易。一些破產(chǎn)前的債權(quán)和其他行政事項將繼續(xù)進行直到最終解決。從今日起，Spansion將不再受美國特拉華州地區(qū)破產(chǎn)法庭管轄。 發(fā)表于：5/12/2010 iSuppli預(yù)測2010年NOR Flash市場收益將止跌回升 據(jù)iSuppli預(yù)估，由于受到整體經(jīng)濟環(huán)境好轉(zhuǎn)和需求回升的鼓舞，NOR Flash閃存市場的整體收益會在2010年止跌回升。 發(fā)表于：5/12/2010 可管理的存儲器：為存儲器系統(tǒng)增加智能的途徑 選用可管理的非易失性存儲器解決方案具有明顯優(yōu)勢和直接效果，體現(xiàn)在：NAND閃存技術(shù)變化不影響整個系統(tǒng)；閃存廠商獨立共存；移植性；互操作性；存儲控制器上軟件負荷降低；可擴展性。 發(fā)表于：5/11/2010 NOR Flash持續(xù)缺貨 宜揚4月營收受惠 NOR Flash缺貨熱浪從年初至今都尚未退燒，相關(guān)業(yè)者4月營收相對出色！旺宏自結(jié)營收為新臺幣22.94億元，較上月小幅增加2.1%，華邦4月營收則為34.61億元，較上月成長10.22%，其中宜揚則以黑馬之姿竄出，4月營收較上月成長37%，達5.99億元，主要就是受惠NOR Flash和MCP缺貨漲價之賜。 發(fā)表于：5/11/2010 三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān) 2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。 發(fā)表于：5/11/2010 美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù) 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 發(fā)表于：5/11/2010 下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起 國際大廠攻勢凌厲 近期相變化內(nèi)存(PCMorPRAM)市場戰(zhàn)況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內(nèi)存用在智能型手機(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對PC、消費性電子和通訊市場使用的相變化內(nèi)存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量達128Mb，隨著國際大廠接連發(fā)動攻勢，讓原本冷門的相變化內(nèi)存市場一夕之間熱了起來！ 發(fā)表于：5/11/2010 為存儲器測試開發(fā)低成本的解決方案 本文將探討存儲器測試解決方案的開發(fā)以及驗證功能和物理連接所需的測試設(shè)備功能。并分析除了滿足存儲器基本功能測試之外，如何擴展測試能力。 發(fā)表于：5/11/2010 德州儀器最新DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET 隨著許多標準架構(gòu)(PCI、ATCA)，電信及服務(wù)器機柜的尺寸越來越小，功率密度會越來越大。在相同尺寸下，PCB板上集成的芯片越來越多，從而導(dǎo)致其電流不斷增加。所以，客戶需要具有更小體積和更高電流的DC/DC電源，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對處理器功能提出的更高要求。TI于近日推出了一款采用創(chuàng)新封裝手段的DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET，它能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足客戶需求。 發(fā)表于：5/10/2010 ?…166167168169170171172173174175…?
