微波射頻相關文章 Dialog半導體 Dialog半導體開發(fā)各種高能效的、高度集成的混合信號電路產(chǎn)品，它們針對個人移動、照明、顯示和汽車等多種應用進行優(yōu)化。該公司提供靈活而積極的支持和世界級的創(chuàng)新，以及一家成熟的商業(yè)伙伴在合作時所提供的各種保障。 發(fā)表于：3/22/2010 RS推出1200種三洋半導體產(chǎn)品 國際著名電子、電機和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online（RS在線：http://www.rs-components.com）渠道推出三洋（SANYO）半導體公司的1200類半導體產(chǎn)品。 發(fā)表于：3/11/2010 飛兆半導體微型以封裝高效產(chǎn)品應對DC-DC設計挑戰(zhàn) 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列，可應對工業(yè)、計算和電信系統(tǒng)對更高效率和功率密度的設計挑戰(zhàn)。 發(fā)表于：3/2/2010 瑞薩科技推出包括BCR16CM-16LH在內的8款800V三端雙向可控硅開關產(chǎn)品，其具有業(yè)內最佳的高換向性特點和150°C的結溫 2010年2月25日，株式會社瑞薩科技（以下簡稱瑞薩）宣布推出包括BCR16CM-16LH在內的新型800V三端雙向可控硅產(chǎn)品，其所具有的業(yè)內最佳高換向性*特點和150°C結溫（Tj），使其成為洗衣機和真空吸塵器等家電內AC電機驅動應用的理想之選。該產(chǎn)品樣品將于2010年4月起在日本發(fā)售。 發(fā)表于：2/25/2010 RS添加4100余種泰科電子新產(chǎn)品 國際著名電子、電機和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，增加泰科電子（Tyco Electronics）4100余種新產(chǎn)品。RS目前擁有種類齊全的泰科電子多媒體技術產(chǎn)品，共計超過18000種，全部產(chǎn)品均有庫存，根據(jù)客戶需求量彈性訂購，以行業(yè)標準包裝形式為設計、原型開發(fā)和小批量生產(chǎn)提供服務。 發(fā)表于：2/25/2010 Diodes推出能夠容忍電話線瞬變的高壓二極管陣列 Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開關二極管陣列MMBD5004BRM，旨在承受DAA調制解調器正極和負極電話線接口和一般離線整流應用中最壞的線瞬變情況。 發(fā)表于：2/25/2010 4% 準確度的可編程平均輸入電流限制降壓-升壓型 DC/DC 轉換器 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出效率為 96% 的同步降壓-升壓型轉換器 LTC3127，該器件用高于、低于或等于輸出的輸入向穩(wěn)定輸出電壓提供高達 1A 的輸出電流。LTC3127 具有一個準確度達 ±4% 的可編程平均輸入電流限值 (范圍為 200mA 至 1000mA)，從而使其非常適合于從 GSM 調制解調器或超級電容器充電器 (具有嚴格輸出電流限值的電源來供電)。這使系統(tǒng)設計師能夠最大限度地提高從受限電源吸取的電流，從而顯著改善數(shù)據(jù)速率或充電時間。LTC3127 的 1.8V 至 5.5V 輸入范圍和 1.8V 至 5.25V 的輸出范圍與所有類型的 PC 卡槽、USB 和單節(jié)鋰離子或雙節(jié)/三節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫金屬電池應用兼容。LTC3127 的電流模式降壓-升壓型拓撲通過所有工作模式提供連續(xù)傳輸模式，從而簡化了設計并確保卓越的性能。LTC3127 的恒定 1.35MHz 開關頻率提供低噪聲工作，同時最大限度地減小所需為數(shù)不多的幾個外部組件的尺寸。纖巧外部組件結合 3mm x 3mm DFN 或 MSOP-12 封裝為空間受限應用提供高度緊湊的占板面積 發(fā)表于：2/24/2010 Vishay Siliconix 推出符合DrMOS®規(guī)定的新款器件 采用緊湊的PowerPAK® MLP 6x6封裝；集成高邊、低邊功率MOSFET、驅動IC和陰極輸出二極管；具有27V的輸入電壓、超過1MHz的工作頻率和92%的高效率 發(fā)表于：2/23/2010 安森美半導體擴充功率開關產(chǎn)品陣容，推出高壓MOSFET系列 應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充公司市場領先的功率開關產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調制(PWM)段等高壓、節(jié)能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態(tài)功率損耗至關重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器，及應用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。 發(fā)表于：2/22/2010 Vishay發(fā)布六款新型80V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器 器件采用功率TO-220AB、ITO-220AB,TO-262AA和TO-263AB封裝、具有10A～30A的電流額定范圍,典型VF低至0.57V 發(fā)表于：2/8/2010 安森美半導體100 V N溝道MOSFET系列新增具備大電流能力和強固負載性能的方案 應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業(yè)界領先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設計。 發(fā)表于：2/3/2010 Vishay的新款TF3系列低ESR固鉭貼片電容器適用于以安全為首要考慮的應用中 器件在+25℃和100kHz條件下的ESR低至0.25Ω;容值范圍為0.47μF~470μF;電壓范圍為4V~50V；工作溫度范圍為-55℃~+125℃ 發(fā)表于：1/29/2010 用電容實現(xiàn)LVDS連接交流耦合的設計分析 使用電容實現(xiàn)LVDS數(shù)據(jù)連接的交流耦合有很多益處，比如電平轉換、去除共模誤差以及避免輸入電壓故障的發(fā)生。本文不僅介紹了電容的適當選型，也為和終端拓撲提供指導，同時也討論了共模故障分析的問題。 發(fā)表于：1/28/2010 IR 推出適用于汽車的 DirectFET®2 功率 MOSFET，實現(xiàn)卓越的功率密度和性能 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。 發(fā)表于：1/27/2010 Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET，繼續(xù)擴展Super Junction FET®技術 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。 發(fā)表于：1/27/2010 ?…167168169170171172173174175176?
