微波射頻相關文章 Diodes全新小巧晶體管實現小型化產品設計 Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。 發表于：7/19/2010 NOR Flash產業版圖醞釀大挪移 臺廠大舉擴產 2010年存儲器市場最夯產品非NOR Flash莫屬，從年初開始供貨吃緊且價格一路飛漲，盡管各家NOR Flash廠對于第3季價格都是持續看漲，但產業供需結構卻是暗潮洶涌，其中，旺宏與華邦大舉擴充12寸廠產能，飛索(Spansion)脫離破產保護而獲得重生，加上Microchip旗下超捷(SST)新營運策略出爐，其亞洲獨家代理商倍微對于搶回低容量NOR Flash市場龍頭信誓旦旦，都讓2010年NOR Flash產業版圖呈現即將大幅變動的氛圍。 發表于：7/19/2010 半導體材料市場反彈至創新的記錄 根據SEMI于SEMICON West上最新的數據報道，由于IC出貨量的持續增加，導致半導體材料用量己經回到近08年水平，但是預期2011年的增速減緩。 發表于：7/19/2010 28nm節點將引發全球代工攻堅戰 按Gartner副總裁Dean Freeman看法，能進行先進制程設計的fabless公司目前正處于極好時光。因為Freeman看到頂級代工廠正義無反顧的向40及28nm進軍，同時為爭奪更大的市場份額，而使硅片代工的價格迅速下降。 發表于：7/16/2010 使用壓電薄膜傳感器作為加速度計 加速度計可以用在儀表中，測量加速度(速度對時間的變化率)和測量傾斜度(物體的縱軸和與地球表面相切的平面的垂線之間形成的傾角)。傾斜度測量可以被看成“直流”或穩態測量。在理論上，加速度可以是穩態的，但在實際應用當中，加速度通常是一個短期的暫時現象。 發表于：7/15/2010 Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 13日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。 發表于：7/14/2010 DRAM廠制程轉換不順 新產能變數多 近期DRAM市場供需雜音多，由于終端需求前景不明，7月合約價不見起色，仍持續往下修正，加上隨著40和50納米制程微縮導致產能增加，進而壓抑價格走勢，然值得注意的是，目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉換不順消息頻傳，新產能是否能如期出籠仍存變量，因此，第3季DRAM價格還有多少修正空間，目前仍處于混沌狀態。 發表于：7/14/2010 美光科技推出第三代低延時內存 2010年7月14日， 北京訊 –美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延時DRAM (RLDRAM○R 3內存)—一種高帶寬內存技術，能更有效的傳輸網絡信息。視頻內容、移動應用和云計算的蓬勃發展，對網絡基礎設施提出了更高效的要求，以便在線傳輸大量數據。與前幾代產品相比，美光新的RLDRAM 3內存進一步提高了存儲密度和速度，同時最大限度地減少了延遲，降低了功耗，在網絡應用中性能更好。 發表于：7/14/2010 傳感器：物聯網成引擎 新技術催生新機遇 作為政府從戰略層面進行推進的產業，物聯網如何從愿景走向現實應用并得到快速發展已成為業界關注的話題。正所謂“萬丈高樓平地起”，作為構成物聯網的基礎單元，傳感器在物聯網信息采集層面能否如愿以償完成它的“使命”，成為物聯網成敗的關鍵。并且未來MEMS、MOEMS(微光機電系統)將成為物聯網的技術核心，使無線傳感網、光網快速加入物聯網的應用系統，為其提供更明確的應用方向和更豐富的市場機會，物聯網也將成為傳感器市場的新引擎。 發表于：7/13/2010 全面解析今年一季全球半導體硅片產能 國際半導體數據統計機構SICAS近期的統計數據中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標有300mm硅片MOS之外，雙極數據以5英寸等值硅片計，而分立器件以6英寸等值硅片計。總的半導體SC數據，包括雙極數據由5英寸轉換成8英寸利用轉換率0.391及分立器件由6英寸轉換成8英寸，利用轉換率0.563。 發表于：7/13/2010 2010中國電子制造商采購行為調查 中國電子展兩年前首次在展覽期間推出“中國市場電子元器件領軍廠商評選活動”，這一評選活動一經推出，就受到了業界的廣泛關注，參與和反響都很不錯。今年將于11月3-5日在上海新國際博覽中心召開的第76屆中國電子展仍然會將這一評選活動作為一場重量級的業內互動交流平臺推廣。 發表于：7/12/2010 中國(成都)電子展 數以萬計專業觀眾追捧為哪般？ 中國電子展自07年首次移師西部以來贏得了數以萬計買家的大力支持。去年召開的成都展接待觀眾13109人次，近500家展商參與展示活動，包括了IBM、英特爾、安捷倫、泰克科技、力科、福祿克、德國羅森伯格、羅德與施瓦茨、ESPEC等行業巨頭，以及元器件和半導體的國際領軍廠商泰科電子、威世國際、村田制作所、安富利、太陽誘電、飛兆半導體、德州儀器、ALTERA、Actel、Xilinx、微芯科技、ADI等。還有很多優秀的國內企業：中科泛華、泉州火炬、常州堅力、常州銀河、常州同惠、寧波晨翔等。 發表于：7/12/2010 基于FPGA的DDR內存條的控制研究與設計 隨著數據存儲量的日益加大以及存儲速度的加快，大容量的高速存儲變得越來越重要。內存條既能滿足大容量的存儲又能滿足讀寫速度快的要求，這樣使得對內存條控制的應用越來越廣泛。首先介紹了內存條的工作原理，內存條電路設計的注意事項，以及如何使用FPGA實現對DDR內存條的控制，最后給出控制的仿真波形。 發表于：7/12/2010 Vishay Siliconix推出新款ThunderFET?功率MOSFET 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用針對更高電壓器件優化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業界首款在4.5V柵極驅動下就能導通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導通電阻。在4.5V柵極驅動下，該器件的典型導通電阻與柵極電荷的乘積為161，該數值是DC-DC轉換器應用中MOSFET的優值系數(FOM，單位是nC-mΩ)。 發表于：7/9/2010 Avnet Express推出面向亞洲的電子商務網站 中國北京– 2010年7月8日 - 安富利公司(NYSE: AVT)運營機構之一安富利電子元件(Avnet Electronics Marketing) 旗下Avnet Express近日推出亞洲最完善的電子元件電子商務網站 www.avnetexpress.com/asia ，該網站也是業界首個支持中國在線支付系統的亞洲分銷商網站。 發表于：7/8/2010 ?…161162163164165166167168169170…?
