微波射頻相關文章 光傳感器在智能照明控制系統中的應用 對智能照明控制系統中照度檢測的問題，提出一種基于ISL29004多路照度采集方案，并給出硬件結構、工作原理以及軟件流程圖。由于ISL29004內部集成了ADC，直接輸出數字量，具有抗干擾能力強和低功耗的特點；并且可以編程靈活配置，又具備比較靈活的I2C總線接口，從而簡化了照明控制設備的設計；使用準雙向I2C總線緩沖器P82896對I2C總線進行驅動擴展以后，拓展了I2C總線的傳輸距離，實現了照明場所內的多路照度檢測，從而可以對多個照明設備實行分區域控制，并且通過P87LPC768的PWM輸出實現了自動調光控制，在節能的同時營造更舒適的照明環境。 發表于：8/9/2010 Vishay發布用于在線流媒體產品演示視頻中心的新登錄頁面 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 8 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，在公司網站(http://www.vishay.com)上發布了在線流媒體產品演示視頻中心的新登錄頁面。視頻中心的新首頁按照產品分類進行設計和布局，使設計者能夠迅速找到各種技術的演示視頻。 發表于：8/9/2010 DRAM漲價效應難再現 供給大增考驗價格承受力 近2年DRAM價格的高點都出現在上半年，下半年雖然有傳統旺季的加持，但DRAM價格反而都是一路走下坡的趨勢，除了是全球經濟局勢變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉進新制程以增加產出，也是因素之一；目前各界認為，2010年上半1顆DDR3單價3美元的時光已難再現，因為隨著50奈米制程量產，每顆芯片成本降到1美元，未來DRAM產業不會有暴利，只有合理的利潤空間。 發表于：8/5/2010 英飛凌推出具備180A額定電流和不足1毫歐通態電阻的30V車用 MOSFET 2010年8月4日，德國紐必堡訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態電阻。 發表于：8/5/2010 基于無線傳感器網絡的遠程智能抄表系統設計方案 智能遠程抄表系統節省時間、人力、物力、提高工作效率，降低物業成本，準確及時地將住戶所使用的電表數據顯示出來，為實現小區科學、系統的物業管理提供了有效的解決方法。智能遠程抄表系統的核心是提供了一個控制信號采集和數據傳輸的平臺，可遠程對電表進行參數設置、實時監控和故障判斷。該系統可用于對水表、氣表等其他儀表的遠程監控。 發表于：8/4/2010 IR 拓展具有低導通電阻的汽車用 MOSFET 系列 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布拓展了針對低導通電阻（RDS(on)）應用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內燃機 (ICE) 、微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。 發表于：8/4/2010 Ramtron開始提供MaxArias無線存儲器商用樣片 世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation（簡稱Ramtron）宣布，已經開始提供基于F-RAM的MaxArias?無線存儲器商用樣片。Ramtron的MaxArias?系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業標準無線存取功能相結合，實現了創新的移動數據采集功能，MaxArias無線存儲器是高價值資產跟蹤、制造和維護歷史數據記錄收集，以及智能電表抄表等廣泛應用的理想選擇。 發表于：8/4/2010 電動車用霍爾位置傳感器芯片的使用 電動自行車用的直流無刷電機的轉子是由30到40塊釹鐵硼磁鋼構成。由于釹鐵硼磁鋼的表面磁場強度超過500mT，電動自行車用的直流無刷電機里的位置傳感器特別適合采用硅霍耳傳感器。硅霍耳傳感器的制造工藝可以與集成電路芯片工藝流程完全兼容，這樣，硅霍耳傳感器后續的信號處理電路，包括前置放大器，施密特觸發器和集電極開路輸出級可以方便地集成在同一個硅片上，形成霍耳集成電路芯片。 發表于：8/3/2010 分析師認為閃存熱 但是供應鏈不配套 按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達215億美元。 發表于：8/2/2010 LSI 推出全新高端口數存儲適配器，進一步擴展6Gb/s SAS 系列 全新 MegaRAID、3ware 以及 HBA 產品使單個卡能夠直接連接服務器內多達 24 個驅動器，或外部連接多達 512 個器件，從而實現簡單高效的存儲擴展 發表于：8/2/2010 美光推出新型內存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網本 2010年7月29日，北京訊 美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內存，支持英特爾即將對平板電腦和上網本推出基于Intel® 凌動? 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內存將成為該市場的理想存儲解決方案。 發表于：7/30/2010 先進制程轉換 Q4全球DRAM市場趨向供過于求 Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產、裁員、關閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產業擴廠競賽劃下句點。 發表于：7/30/2010 Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020標準的新款器件 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出滿足嚴格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指導的新款器件，擴充了高溫140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器。 發表于：7/30/2010 Vishay Siliconix推出業界面積最小、厚度最薄的N溝道芯片級功率MOSFET 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET —— Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產品中占用的空間。 發表于：7/29/2010 Vishay推出業內最耐熱的薄膜貼片電阻 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為其用于極高溫度環境的無源器件產品組合中增添新系列SMD卷包式薄膜貼片電阻 --- Sfernice PHT，這些電阻針對用在鉆井勘探和航天應用的多芯片模塊進行了優化。 發表于：7/27/2010 ?…159160161162163164165166167168…?
