微波射頻相關文章 Spansion、爾必達（Elpida）宣布建立更廣泛閃存合作聯盟 2010年7月26日，中國上海——爾必達（Elpida）存儲器公司（TOKYO: 6665）和Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布將擴展在NAND工藝技術和產品基礎上更深入的NAND閃存合作聯盟。此外，爾必達公司也獲得基于MirrorBit®電荷捕獲技術的Spansion® NAND IP非專屬性授權。爾必達公司將在其位于廣島的尖端300mm晶圓生產廠生產全新NAND產品。雙方將分開經營產品銷售。 發表于：7/27/2010 基于無線傳感器網絡的遠程智能抄表系統設計 智能遠程抄表系統節省時間、人力、物力、提高工作效率，降低物業成本，準確及時地將住戶所使用的電表數據顯示出來，為實現小區科學、系統的物業管理提供了有效的解決方法。智能遠程抄表系統的核心是提供了一個控制信號采集和數據傳輸的平臺，可遠程對電表進行參數設置、實時監控和故障判斷。該系統可用于對水表、氣表等其他儀表的遠程監控。 發表于：7/26/2010 全球MEMS技術應用及其市場發展狀況 MEMS有廣泛的應用，但其封裝測試成本是決定其能否有光明市場前景的重要因素 發表于：7/26/2010 市場低迷大廠獲益 誰是下一個奇夢達 近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對芯片業務支出20萬億韓元(約合177億美元)，該數字是此前支出計劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達到3.05萬億韓元(約合27億美元)。預計這些支出中將有相當一部分進入DRAM業務。 發表于：7/23/2010 汽車制造行業對電感式傳感器的優化選擇 汽車生產工藝上來看，近年來，國內汽車制造業的自動化水平大幅提升，明顯趨勢于提高裝配精度、提高生產效率。作為定位及檢測手段，多種傳感器已經普及到生產線各個環節中，尤其是車廠廣泛用于定位的電感式傳感器，實時監控著整條線的運行狀態。但面對于市場上不同廠家、多系列的傳感器，如何選擇最適合汽車制造領域應用的產品，成為關鍵。 發表于：7/23/2010 惠瑞捷全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案為 DDR3、DDR4和更高級的內存提供了低廉的測試成本 【2010年7月23日，北京訊】惠瑞捷 (Verigy)（納斯達克代碼：VRGY）推出了全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案，進一步拓展了面向 DDR3世代主流存儲器 IC 和更高級存儲器件測試能力的 V93000 HSM 平臺。V93000 HSM3G 獨特的優勢在于其未來的可升級性，能夠為數據傳輸速度高達6.8 Gbps未來的三代 DDR 存儲器提供價格低廉的測試服務，從而前所未有地長期節約經濟成本。 發表于：7/23/2010 惠瑞捷在韓國客戶的生產廠安裝首款具有每接腳8 Gbps高速存儲卡V93000測試機 2010年7月23日，北京訊 首屈一指的半導體測試公司惠瑞捷 (Verigy) (納斯達克交易代碼：VRGY) 在韓國一家不具名客戶的生產廠內安裝并驗證其首款可生產的V93000 HSM6800系統。這套新系統是唯一的一款面向當今 GDDR5超快存儲集成電路 (IC)（運行速度超過每接腳4 Gbps）的快速高良率測試解決方案。與當今市場上的其它超高速存儲器測試系統相比，它具有明顯的產能優勢。 發表于：7/23/2010 Spansion公司發布2010年第二財季報告 2010年7月23日，中國上海——全球領先的閃存解決方案供應商Spansion公司 (NYSE: CODE) 今天發布截止至2010年6月27日第二財季的運營情況。由于公司重組后實行的新會計計量產生的影響，Spansion公司同時提供GAAP和非GAAP結果。公司美國GAAP凈銷售額為2.557億美元，經營虧損300萬美元，凈收入為3.418億美元。公司美國非GAAP調整后凈銷售額2.927億美元，調整后運營收入4030萬美元，調整后凈收入為2740萬美元。 發表于：7/23/2010 Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管 器件具有緊湊的2.3mmx2.3mmx2.8mm占位，具有350nm至1120nm或470nm至1090nm的光譜帶寬，采用1.8mm的鷗翼式和倒鷗翼式封裝 發表于：7/22/2010 飛兆半導體150V低RDS(ON) MOSFET在隔離DC-DC應用中實現更高性能 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優化品質因數(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較低開關損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產品的需求。該器件利用飛兆半導體先進的工藝技術和封裝技術，以及系統專有技術，并采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。 發表于：7/22/2010 Vishay推出使用壽命長達10000小時的新系列牛角式功率鋁電容器 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列4接線端、牛角式功率鋁電容器 --- 095 PLL-4TSI。電容器具有17種大尺寸外形，電壓等級從350V至450V，在85℃下的使用壽命長達10,000小時。 發表于：7/21/2010 將MEMS傳感器用于各種創新的消費類產品設計 MEMS即微機電系統，是利用微米級立體結構實現感應和執行功能的一項關鍵技術。其中，微米級立體結構是利用被稱為“微加工”的特殊工藝實現的微米大小的立體機械結構。 發表于：7/21/2010 先柵極還是后柵極 業界爭論高K技術 隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術幾乎已經成為45nm以下級別制程的必備技術.不過在制作HKMG結構晶體管的 工藝方面，業內卻存在兩大各自固執己見的不同陣營，分別是以IBM為代表的Gate-first（先柵極）工藝流派和以Intel為代表的Gate-last（后柵極）工藝流派，盡管兩大陣營均自稱只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術，但一般來說使用Gate-first工藝實現HKMG結構的難點在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門限電壓);而Gate-last工藝的難點則在于工藝較復雜，芯片的管芯密度同等條件下要比Gate-first工藝低，需要設 計方積極配合修改電路設計才可以達到與Gate-first工藝相同的管芯密度級別。 發表于：7/21/2010 Vishay推出業界首類具有75V電壓等級的固鉭貼片電容器 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首類具有高達75V的工業電壓等級的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D，增強了該公司TANTAMOUNT® 高可靠性電容器的性能，擴大其在高壓固鉭貼片電容器領域的領先地位。 發表于：7/20/2010 SD協會為 SDXC和SDHC內存卡以及設備定義新的高速性能選擇 近日，SD 協會宣布針對速度最快的 SDXC 和 SDHC 設備以及內存卡推出兩個全新的高速性能符號。第一個符號是用來表示總線界面速度每秒高達 104 MB、可提高設備性能的產品。第二個符號是用來表示具備允許實時視頻錄制的性能選項之 SD 內存卡和產品。 發表于：7/20/2010 ?…160161162163164165166167168169…?
