EDA與制造相關文章 2024年全球半導體材料營收增長3.8% 4月29日消息，據國際半導體產業協會（SEMI）統計，2024年全球半導體材料市場營收達675億美元，同比增加3.8%。 SEMI表示，整體半導體市場復蘇，以及高效能運算和高頻寬內存制造對先進材料需求增長，驅動了2024年半導體材料營收成長。其中，晶圓制造材料2024年營收同比增長3.3%至429億美元，封裝材料營收同比增長4.7%至246億美元。因先進動態隨機存取內存（DRAM）、3D儲存型閃存（NAND Flash）和邏輯IC的復雜性和處理步驟增加，帶動化學機械平坦化（CMP）和光阻劑等強勁增長兩位數百分比。 發表于：4/30/2025 英特爾稱18A工藝今年下半年將具備大規模量產能力 4 月 30 日消息，據路透社報道，當地時間周二，英特爾稱已有數家代工客戶計劃為公司正在開發的新一代制造工藝制作測試芯片。 發表于：4/30/2025 英特爾更新晶圓代工路線圖 4月30日訊，當地時間周二，英特爾舉辦晶圓代工業務Direct Connect大會。新任CEO陳立武在上千名產業鏈客戶面前，承諾公司將繼續在代工業務上發力。英特爾也在周二公開最新的工藝制程路線圖。 發表于：4/30/2025 恩智浦稱其業績將受關稅影響 現任CEO即將退休 當地時間4月28日美股盤后，歐洲車汽車芯片大廠恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）公布了2025年第一季（截至2025年3月30日為止）財報，由于汽車、工業及物聯等市場需求均出現了下滑，導致恩智浦整體業績也出現了下滑。 具體來說，恩智浦一季度營收為28.35億美元，同比和環比均下滑了9%，但仍略高于分析師預期的28.3億美元；依照一般公認會計原則（GAAP）毛利率為 55.0%，GAAP 營業利潤率為 25.5%，GAAP每股收益為1.92 美元。 非依照一般公認會計原則（Non-GAAP）營業利潤為9.04億美元，同比下滑16%，環比下滑15%；Non-GAAP毛利率為56.1%，同比下滑2.1個百分點，環比下滑1.4個百分點；Non-GAAP每股收益為2.64美元，同比減少19%，環比減少17%，但仍略高于分析師預期的2.6美元。 發表于：4/30/2025 歐盟《芯片法案》所設2030年微芯片市占翻倍目標難以實現 4 月 29 日消息，歐洲審計院 ECA 當地時間昨日表示，根據其最新報告，歐盟在 2022 年版《芯片法案》中設定的到 2030 年將歐盟在全球微芯片市場中的份額提升到 20%（即 2022 年的 9.8% 的約兩倍）的目標難以實現。 發表于：4/29/2025 IBM宣布5年1500億美元投資推動量子計算機等美國制造 4 月 28 日消息，IBM 今日宣布，未來五年將在美國投資 1500 億美元（注：現匯率約合 1.09 萬億元人民幣），助力經濟增長，并進一步鞏固其在全球計算領域的領導地位。此次投資中，超過 300 億美元（現匯率約合 2187.07 億元人民幣）將用于研發，推動大型主機和量子計算機在美國本土的持續制造。 發表于：4/29/2025 除和碩外的全部臺系電子代工廠啟動美國制造 4月29日消息，據臺媒《經濟日報》報道，電子代工大廠英業達也宣布加入了“美國制造”行列。而在此之前，鴻海、廣達、緯創、緯穎、仁寶等臺系電子代工大廠均已投入“美國制造”，隨著英業達也宣布在德克薩斯州建廠，臺系主要電子代工廠當中，僅剩和碩未有宣布在美國布局。 4月28日，英業達董事會批準，擬斥資上限8,500萬美元，在美國德克薩斯州設立服務器制造基地。此舉有望降低特朗普政府關稅戰干擾，助力后續營運。 發表于：4/29/2025 三星計劃三年內量產V-DRAM 4月28日消息，據韓國媒體 sedaily 報導，三星電子已確定將在三年內量產被稱為次世代內存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍圖。外界解讀，三星有意比競爭對手SK海力士更早一個世代成功量產，以挽回“超級差距”的地位。 發表于：4/29/2025 中國臺灣出臺新規：限制臺積電最先進工藝技術出口！ 4月28日消息，據臺媒《經濟日報》報道，中國臺灣計劃加強對先進工藝技術出口和半導體對外投資的控制。新的產創條例第22條已經獲得了正式通過，針對臺積電赴美投資將執行“N-1”技術限制，基本上禁止臺積電出口其最新的生產節點，并對違規行為進行處罰。不過，該新規的具體實施日期尚未公布。 發表于：4/29/2025 聯電稱與英特爾合作開發的12nm FinFET制程技術明年通過驗證 近日，晶圓代工大廠聯電2024年度營運報告書出爐。其中提到，與英特爾合作開發的12nm FinFET制程技術平臺進展順利，預計2026年完成制程開發并通過驗證。聯電還披露了封裝領域進展，晶圓級混合鍵合技術、3D IC異質整合等技術已成功開發，未來將全面支持邊緣及云端AI應用。 發表于：4/28/2025 SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4 4月28日消息，據wccftech報道，繼今年3月宣布全球首次向客戶提供12層堆疊HBM4樣品之后，SK海力士在近日的臺積電北美技術論壇又首次向公眾展示其最新的16層堆疊HBM4方案。 據SK海力士介紹，其此次展示的16層堆疊HBM4具有高達 48 GB 的容量、2.0 TB/s 帶寬和額定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die則是由臺積電代工。SK 海力士表示，他們正在尋求在 2025 年下半年之前進行大規模生產，這意味著該工藝最早可能在今年年底集成到產品中。 發表于：4/28/2025 TechInsights：中美關稅戰將致2026年全球半導體市場萎縮34% 當地時間4月26日，半導體市場研究機構 TechInsights 發表它對目前美國和中國之間持續存在的“關稅戰爭”對于半導體產業的負面影響的看法。 發表于：4/28/2025 佳能下調2025年光刻機銷量至289臺 4月24日日本股市盤后，相機及光刻機大廠佳能（Canon）在公布了2025年一季度（2025年1-3月）財報的同時，下修了2025年度的整體業績預期。 佳能一季度合并營收較去年同期增長7.1%至10584億日元，合并營業利潤同比增長20.5%至965億日元，合并凈利潤同比增長20.5%至722億日元。 發表于：4/28/2025 中汽研發布《新能源汽車電安全技術年度報告（2025）》 4 月 28 日消息，中汽中心新能源檢驗中心上周發布了《新能源汽車電安全技術年度報告（2025）》（下稱《報告》）。 新能源汽車以“三電”系統為核心，相比傳統燃油汽車，存在更多電安全方面的新問題新挑戰。《報告》指出，新能源汽車行業競爭加劇，部分新技術沒有得到充分驗證就量產上車，為行業發展留下了潛在安全風險隱患。 《報告》中還分析了我國新能源汽車發展現狀、技術發展趨勢，介紹了包括“充電、電磁、功能、高壓、電池、消防”六個維度的 NESTA 電安全技術驗證體系。 發表于：4/28/2025 臺積電升級CoWoS封裝技術 目標1000W功耗巨型芯片 4月25日消息，如今的高端計算芯片越來越龐大，臺積電也在想盡辦法應對，如今正在深入推進CoWoS封裝技術，號稱可以打造面積接近8000平方毫米、功耗1000W級別的巨型芯片，而性能可比標準處理器高出足足40倍。 目前，臺積電CoWoS封裝芯片的中介層面積最大可以做到2831平方毫米，是臺積電光罩尺寸極限的大約3.3倍——EUV極紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，臺積電用的是830平方毫米。 NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是這種封裝，將大型計算模塊和多個HBM內存芯片整合在一起。 發表于：4/27/2025 ?12345678910…?
