微波射頻相關文章 氮化鎵半導體材料在5G時代的應用前景 氮化鎵，分子式為GaN，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SiC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 發(fā)表于：8/11/2019 氮化鎵在射頻領域的優(yōu)勢盤點 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產(chǎn)生的能隙達到3.4 電子伏特。 發(fā)表于：8/11/2019 射頻氮化鎵市場前景分析 據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來，GaN憑借高頻下更高的功率輸出和更小的占位面積，被射頻行業(yè)大量應用。在電信基礎設施和國防兩大主要市場的推動下，預計到2024年RF GaN整體市場規(guī)模將增長至20億美元。 發(fā)表于：8/11/2019 電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展 專利之爭全面開啟 電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展。根據(jù)市調機構Yole Développement調查指出，RF GaN產(chǎn)業(yè)于2017~2023年間的年復合增長率達到23%。隨著工業(yè)不斷地發(fā)展，截至2017年底，RF GaN市場產(chǎn)值已經(jīng)接近3.8億美元，2023年將達到13億美元以上。 發(fā)表于：8/11/2019 RF GaN市場蓬勃發(fā)展的關鍵是什么？ 據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應用中的附加價值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了驚人的高增長。根據(jù)Yole最近發(fā)布的《射頻氮化鎵技術、應用及市場-2019版》報告，在無線基礎設施和國防兩大主要應用的推動下，RF GaN整體市場規(guī)模到2024年預計將增長至20億美元。 發(fā)表于：8/11/2019 《射頻（RF）氮化鎵技術及廠商專利全景分析-2019版》 近年來，RF GaN市場的發(fā)展令人印象深刻，重塑了RF功率器件的產(chǎn)業(yè)格局。在電信和國防應用的推動下，RF GaN行業(yè)將持續(xù)增長，而隨著5G應用的到來，RF GaN市場將加速發(fā)展。據(jù)麥姆斯咨詢介紹，RF GaN市場總規(guī)模預計將從2017年的3.8億美元到2023年增長到13億美元。 發(fā)表于：8/11/2019 一文知道RF GaN市場蓬勃發(fā)展的關鍵 據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應用中的附加價值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了驚人的高增長。根據(jù)Yole最近發(fā)布的《射頻氮化鎵技術、應用及市場-2019版》報告，在無線基礎設施和國防兩大主要應用的推動下，RF GaN整體市場規(guī)模到2024年預計將增長至20億美元。 發(fā)表于：8/11/2019 華裔科學家：領銜全球首個實時解碼大腦信號項目 馬斯克的腦機接口新突破公布沒多久，F(xiàn)acebook的腦機革命又邁出重要一步。Facebook與加利福尼亞大學舊金山分校華裔教授團隊合作，已打造一個腦機接口，可以實時從大腦信號解碼問答對話。這是全球首個實時解碼大腦信號的問答語音的項目，或可用到增強現(xiàn)實眼鏡中。 發(fā)表于：8/2/2019 基于MOCVD生長材料的高電流密度太赫茲共振隧穿二極管 為獲得高功率的太赫茲共振隧穿器件，優(yōu)化設計了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二極管材料結構，在國內首次采用MOCVD設備在半絕緣InP單晶片上生長了RTD外延材料。利用接觸光刻工藝和空氣橋搭接技術，制作了InP基共振遂穿二極管器件。并在室溫下測試了器件的電學特性： 峰值電流密度＞400 kA/cm2， 峰谷電流比(PVCR)＞2.4。 發(fā)表于：8/1/2019 基于VO2相變特性的THz波動態(tài)調控研究進展 太赫茲(Terahertz，THz)波位于光子學向電子學的過渡區(qū)域，在高速寬帶通信、雷達、成像等領域具有重要應用前景。但目前用于THz波動態(tài)調控的器件仍比較缺乏，這在一定程度上限制了THz技術的發(fā)展。VO2具有獨特的金屬—絕緣體相變特性，相變過程可以應用于動態(tài)調控THz波傳輸。探索超材料與VO2結合以制備高效、動態(tài)、靈活的太赫茲功能器件也是近來的研究熱點。簡述了VO2的相變特性，并分析了微觀結構和化學成分等因素對相變特性的影響；系統(tǒng)回顧了VO2薄膜相變過程中的THz波調控性能研究進展，總結了VO2與超材料不同結合方式在THz波動態(tài)調控方面的應用；并對基于VO2相變特性的THz波調控功能器件發(fā)展前景與挑戰(zhàn)進行了展望。 發(fā)表于：7/31/2019 太赫茲固態(tài)放大器研究進展 隨著半導體技術的發(fā)展，晶體管特征頻率不斷提高，已經(jīng)進入到太赫茲（THz）頻段，使得固態(tài)器件可以在THz頻段工作。THz放大器可以將微弱的信號進行放大，在THz系統(tǒng)中起著關鍵作用。介紹了基于氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件、磷化銦(Indium Phosphide，InP)HEMT器件和InP異質結雙極晶體管/雙異質結雙極晶體管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor，HBT/DHBT)器件的THz單片放大器研究進展。 發(fā)表于：7/31/2019 毫米波人體掃描儀市場： 過去、現(xiàn)在和未來 全身掃描儀已經(jīng)成為全球安全與威脅檢測工具包的重要組成部分。隨著射頻、微波和毫米波技術的不斷發(fā)展進步，利用這種技術的全身掃描儀也變得流行起來。全身掃描解決方案的總體接受程度在很大程度上取決于其性能、設計和商業(yè)可行性。本文討論了這些全身掃描儀的系統(tǒng)集成商如何做出正確的技術設計和合作伙伴選擇，從而更自信地為這個快速增長的市場提供商業(yè)上可行的解決方案。 發(fā)表于：7/30/2019 Silicon Labs利用軟件定義無線電技術 提升廣受歡迎的Si479xx汽車調諧器系列產(chǎn)品 中國，北京 - 2019年7月30日 - Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）為領先的汽車收音機解決方案供應商，日前宣布推出新型數(shù)模混合一體化軟件定義無線電（SDR）調諧器，擴展其產(chǎn)品組合使得單個通用平臺上能支持全球所有數(shù)字收音機標準以滿足汽車收音機制造商不斷增長的需求。新型Si479x7器件是Silicon Labs首款支持Digital Radio Mondiale（DRM）標準的汽車收音機調諧器。Si479x7調諧器是Silicon Labs廣受歡迎的Global Eagle和Dual Eagle AM/FM接收器和數(shù)字收音機調諧器系列產(chǎn)品的擴展，提供同樣出色的路試性能、單雙調試器兼容的引腳定義和封裝、以及物料清單（BOM）成本優(yōu)勢。 發(fā)表于：7/30/2019 復數(shù)RF混頻器、零中頻架構及高級算法： 下一代SDR收發(fā)器中的黑魔法 RF工程常被視為電子領域的黑魔法。它可能是數(shù)學和力學的某種奇特組合，有時甚至僅僅是試錯。它讓許多優(yōu)秀的工程師不得其解，有些工程師僅了解結果而對細節(jié)毫無所知。現(xiàn)有的許多文獻往往不建立基本概念，而是直接跳躍到理論和數(shù)學解釋。 發(fā)表于：7/24/2019 Matlab 數(shù)字濾波入門 這是一篇最簡單不過的matlab數(shù)字信號處理的介紹，里面涉及數(shù)字濾波，簡單的圖像處理和信號檢測。 發(fā)表于：7/24/2019 ?…32333435363738394041…?
