| 20 MHz～520 MHz寬帶功率放大器的研制 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：588 K | |
| 標簽： GaN 寬帶功放 負反饋 | |
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| 文檔介紹：新一代半導體材料GaN相比于Si、GaAs等材料，具有禁帶寬、擊穿場強高、熱穩(wěn)定性優(yōu)異等特性，在寬帶功放的設計中被廣泛使用。基于CREE公司的兩款GaN功率芯片進行級聯，匹配電路為集中元件和分布元件混合，采用負反饋技術提高帶寬，RC并聯網絡提高穩(wěn)定性，設計了一款20 MHz～520 MHz的寬帶功放。利用ADS軟件對芯片模型和匹配電路進行優(yōu)化仿真和實際調試，在20 MHz～520 MHz頻段內，功放模塊飽和輸出功率大于9 W，增益大于29.5 dB，漏極效率高于40%，帶內平坦度為±0.7 dB。 | |
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