| 熱退火對GaN陰極光電發(fā)射性能的影響 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：v895bv | |
| 文檔大小：1286 K | |
| 標簽： GaN | |
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| 文檔介紹：熱退火不但可以大量地減少GaN陰極樣品中的各種缺陷和寄生電容，改善材料的結晶屬性，而且可以改善樣品的表面質(zhì)量，對提高樣品的光譜響應是一種有力的手段。對GaN陰極樣品進行了不同溫度、不同時間的退火處理，使樣品的性能得到了改善，最優(yōu)條件下樣品的暗電流僅為200pA，電阻率僅為1.6 Ω.cm，最大光譜響應為0.19A/W。依據(jù)光譜響應作為評估標準，可以得出，采用700℃熱退火10min制備出的陰極具有更高的光電發(fā)射性能，從而實現(xiàn)了GaN光電陰極的優(yōu)化制備工藝。 | |
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