3 月 4 日消息，美國喬治敦大學“新興技術觀察項目（ETO）”3 日在其網站發布一份報告稱，2018 年至 2023 年期間，全球共發布了約 47.5 萬篇與芯片設計和制造相關的論文。這一數據基于包含英文標題或摘要的文章統計，未涵蓋無英文摘要的非公開研究。整體來看，芯片研究論文在這五年間增長了 8%，盡管這一增速不及人工智能（AI）或大型語言模型（LLM）等熱門研究領域，但芯片設計與制造研究仍保持了穩定的增長態勢。

報告稱，在芯片設計與制造論文領域，中國以絕對優勢領先于其他國家。數據顯示，其中 34% 的論文有來自中國機構的作者參與，15% 的論文有美國作者參與，18% 的論文有歐洲作者參與。需要注意的是，部分文章未提供作者機構和國家信息，且分析未包括非英文摘要的文章，這可能對統計結果產生一定影響。盡管如此，中國在這一領域的領先地位依然十分明顯。在高被引文章（定義為每年發表文章中被引用次數排名前 10% 的文章）中，中國作者的比例高達 50%，遠超美國（22%）和歐洲（17%）。韓國和德國分別位列第三和第四位，但與中、美仍有較大差距。

在芯片研究論文產出最多的十大機構中，有九家來自中國，其中中國科學院以 2018-2023 年期間發布的 14,387 篇文章位居榜首。這一統計僅涵蓋英文文章，若將中文文章納入統計，中國機構的產出數量可能更高。在高被引文章的統計中，中國機構更是占據了前八名。以引用次數排名前 10% 的芯片設計與制造論文數量為指標，全球領先的機構依次為中國科學院、中國科學院大學和清華大學。此外，新加坡國立大學和法國國家科學研究中心（CNRS）也是該領域的重要研究機構，后者在文章數量上位列全球第三。

通過對高被引文章的分析，可以發現芯片設計與制造領域的研究熱點。在 2018-2023 年期間被引用次數最高的十篇芯片設計與制造文章中，許多研究聚焦于半導體應用中的二維材料，如石墨烯和 MXenes，過渡金屬及其化合物也是熱門研究對象，包括鐵磁性過渡金屬和過渡金屬二硫化物等。