8月6日消息，在近日的英特爾財報電話會議上，英特爾CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）透露，全球第二臺High NA （高數(shù)值孔徑）EUV光刻機即將進入英特爾位于美國奧勒岡州的晶圓廠。

ASML此前在二季度財報會議上也表示，該公司已經(jīng)開始向客戶出貨其第二臺High NA EUV光刻機，但是并未指出是哪家客戶?，F(xiàn)在來看，這家客戶正是英特爾。

資料顯示，ASML的第一代High NA EUV（EXE:5000）的分辨率為 8nm，可以實現(xiàn)比現(xiàn)有EUV光刻機小1.7倍物理特征的微縮，從將單次曝光的晶體管密度提高2.9倍，可以使芯片制造商能夠簡化其制造流程。并且，EXE:5000每小時可光刻超過 185 個晶圓，與已在大批量制造中使用的 NXE 系統(tǒng)相比還有所增加。ASML還制定了到 2025 年推出的第二代High NA EUV光刻機將產(chǎn)能提高到每小時 220 片晶圓的路線圖，確保將High NA EUV光刻機集成到芯片工廠對于芯片制造商來說在經(jīng)濟性上至關(guān)重要。根據(jù)此前的爆料顯示，High NA EUV的售價高達3.5億歐元一臺。

眾所周知，英特爾與ASML合作了數(shù)十年時間，推動了光刻技術(shù)從 193nm浸沒式光刻技術(shù)發(fā)展到 EUV，但出于成本考慮，英特爾選擇不在其 10nm 工藝（相當于臺積電6nm）中使用該技術(shù)。相反，英特爾選擇使用標準深紫外 (DUV) 光刻機進行四重圖案化，需要對單個芯片層進行四次 DUV 曝光，而不是使用 EUV 進行單次曝光。結(jié)果，英特爾在良率方面遇到了重重困難，導致其10nm工藝推遲了五年。這也使得英特爾被臺積電、三星等率先使用EUV光刻機的廠商持續(xù)超越。

因此，在英特爾CEO基辛格提出“IDM 2.0”戰(zhàn)略后，英特爾便迅速重新聚焦于尖端制程工藝的提升，提出的了四年五個工藝節(jié)點的計劃，希望在2025年憑借Intel 18A實現(xiàn)對于臺積電2nm工藝的超越。與此同時，英特爾還希望通過率先采用High NA EUV光刻機來實現(xiàn)對于臺積電等競爭對手的持續(xù)領(lǐng)先。最終在2030年前實現(xiàn)英特爾代工業(yè)務實現(xiàn)收支平衡的運營利潤率，并成為全球第二大晶圓代工廠。

為此，英特爾在2023年12月已率先拿下了全球首臺High NA EUV光刻機，并開始在英特爾俄勒岡州晶圓廠安裝。一套High NA EUV光刻系統(tǒng)的大小等同于一臺雙層巴士，重量更高達150噸，相當于兩架空中客車A320客機，全套系統(tǒng)需要43 個貨運集裝箱內(nèi)的 250個貨箱來裝運，裝機時間預計需要250名工程人員、歷時6個月才能安裝完成，不僅價格高昂也相當耗時。

今年4月18日，英特爾公司正式宣布在俄勒岡州希爾斯伯勒的研發(fā)基地達成了先進半導體制造領(lǐng)域的一個重要里程碑，完成了業(yè)界首個商用High NA EUV光刻機的組裝。

根據(jù)英特爾的計劃，High NA EUV光刻機將會首先會被用到Intel 18A的相關(guān)測試，以積累相關(guān)經(jīng)驗，最終會被用于Intel 14A的量產(chǎn)。

此前的報道顯示，ASML已獲得十多臺High NA EUV光刻機的訂單，客戶包括臺積電、三星、英特爾、美光及SK海力士。ASML CEO Christophe Fouquet指出，DRAM芯片制造商，可能會在2025或2026年開始使用High NA EUV設(shè)備。