在近日舉辦的SPIE大會上，ASML新任CEO傅恪禮（Christophe Fouquet）發表了精彩的開幕/主題演講，重點介紹了High NA EUV光刻機。
很明顯，High NA EUV光刻機不太可能像最初的EUV光刻機那樣出現延遲。我們只能期待它相對快速地推出和采用，因為High NA EUV光刻機更像是EUV光刻機的“升級款”，而不是一個全新的產品。
傅恪禮談到了組裝掃描儀子組件的新方法，即在客戶的現場組裝，而不是在ASML組裝后拆卸并再次在客戶的現場組裝設備。
這在處理相對簡單的沉積和蝕刻工具以及類似的工具時已經實現結果，但對于高復雜度的光刻設備來說則是另一回事。但這將大大節省時間和成本。這將有助于加快High NA EUV光刻機的發展。
未來High NA EUV光刻機可混合搭配鏡頭組件
常規EUV光刻設備和High NA EUV光刻設備之間唯一真正的區別是鏡頭堆棧，因此如果您設計一個鏡頭堆棧位于中間的設備，則可以將常規EUV鏡頭、High NA鏡頭或Hyper NA鏡頭換到同一個基本工具中。
它具有大量的通用性、更多的成本節約、簡單性等。ASML正在采取的模塊化方法支持這種方案。這顯然有助于降低成本、安裝時間，提升利潤。
在演示中，傅恪禮還提到，ASML在圣地亞哥擁有穩定的740瓦電源，并且有明確的途徑實現1000瓦的供電。
傅恪禮：采用大尺寸掩模將“不費吹灰之力”
去年，英特爾在SPIE上認真提出了將掩模尺寸從6英寸×6英寸增加一倍到6英寸×12英寸的想法。今年的會議上，這項技術得到了許多公司的大力支持，許多光掩模基礎設施公司都參與其中。其中最主要也最關鍵的參與者是ASML，傅恪禮稱采用雙倍尺寸掩模對于行業來說是“不費吹灰之力”的，ASML為這一變革付出了巨大的努力。
這對ASML來說也意義重大，因為它有助于克服High NA的芯片尺寸限制。40%的性能提升本身就值得進行轉換。
Mark Phillips：英特爾已在波蘭特工廠安裝兩臺High NA光刻機
英特爾院士兼光刻總監Mark Phillips緊隨傅恪禮之后繼續High NA的主題討論。英特爾現在在波特蘭工廠安裝了兩個High NA系統。
Mark Phillips展示了兩個系統的一些非常漂亮的圖像，這些圖像顯示了High NA EUV相對于標準EUV帶來的改進，這可能比預期的要好。由于不斷學習，第二個系統的安裝比第一個更快。
值得注意的是，High NA所需的所有基礎設施都已到位并開始運行，High NA的光掩模檢查已經開始運行。因此，無需做太多輔助支持工作即可將其投入生產。
Mark Phillips還被問及關于CAR（化學放大光刻膠）與金屬氧化物光刻膠的問題，他說CAR目前還不錯，但將來可能需要金屬氧化物光刻膠。這似乎大大推遲了對金屬氧化物光刻膠（如泛林集團的干光刻膠）的需求，使其在更遠的未來實現。這對日本JSR或泛林集團來說不是好消息。
目標插入點是英特爾的Intel 14A（1.4nm）工藝，大約需要3年時間，這可能再次比預期的要快。
（我們在會議上聽到的唯一關于High NA的小問題是，將巨大的High NA工具從拖車上運到波特蘭的工廠時遇到了麻煩，因為拖車在極端的重量負荷下彎曲了！）
這種近乎完美的安裝對英特爾來說是個好消息，因為這是他們執行計劃所需的“勝利”，尤其是在最初的EUV光刻機采用速度緩慢之后。
臺積電針對High NA努力談判，但將被迫跟進
與其迅速接受最初的EUV光刻機推出相比，臺積電以成本為由，遲遲不肯接受High NA。在外界看來，這有點像臺積電的談判游戲，也許是在與ASML爭奪更好的條件。
但預測臺積電不會堅持太久，特別是如果英特爾開始在High NA設備方面取得領先地位的話，臺積電將不得不屈服并繼續前進。臺積電在英特爾倡導的掩模倍增方面也進展緩慢，但最終也會跟進，因為這對他們來說是免費的性能提升。
會議上的傳言
消息稱，ASML的傅恪禮和英特爾的Anne Kelleher在會議開始前的周日會面……也許是為了討論他們在推出High NA方面的合作關系。
分析認為，對于KLA（科磊）及其長期推遲的Actinic掩模檢查計劃來說，可能會有一些好消息，這是非常需要的。
股票
分析認為此次會議顯然對High NA EUV光刻機的推出和摩爾定律的整體技術進步非常有利。
這對英特爾和ASML來說顯然都是利好消息。首先，這對英特爾來說無疑是好事，因為它需要盡可能多的技術優勢，而High NA可能是該行業目前正在經歷的最關鍵的技術變革。
對于ASML來說也是利好消息，因為該公司的股價一直不穩定且承受壓力，這在很大程度上是由于中國市場問題掩蓋了High NA的更大技術進步。
在更大的全球半導體市場上，一切都圍繞著人工智能（AI），其它的都不重要。由于一切都圍繞人工智能展開，因此后緣仍然較弱。
