6月13日消息，DRAM大廠美光去年就宣布計劃在斥資6,000至8,000億日原在日本廣島興建DRAM新廠，預(yù)計2026年初動工、最快2027年底前完成廠房建設(shè)、機臺設(shè)備安裝并投入營運。

據(jù)了解，美光廣島DRAM新廠地點將緊鄰已建成的Fab15。新廠初期規(guī)劃為DRAM晶圓廠，未包含后段封裝及測試，產(chǎn)能將著重于HBM產(chǎn)品。同時，美光廣島DRAM新廠還將首導(dǎo)入極紫外光（EUV）光刻設(shè)備，生產(chǎn)先進1-Gamma制程的DRAM，后續(xù)也將導(dǎo)入1-Delta制程，因此EUV設(shè)備安裝數(shù)量將大幅增加，并多加采用調(diào)高無塵室。

至于廣島Fab 15是HBM晶圓量產(chǎn)廠區(qū)，負責(zé)前段晶圓生產(chǎn)及硅穿孔（TSV）制程，后段堆疊及測試制程由臺灣的臺中后段廠負責(zé)。另有市場消息傳出，隨著HBM需求擴張，臺灣OMT（One Mega Taiwan）明年起將加入HBM晶圓量產(chǎn)廠區(qū)，投入晶圓生產(chǎn)及TSV制程。

研調(diào)機構(gòu)TrendForce指出，由于HBM市場需求蓬勃發(fā)展，且生產(chǎn)良率較低、晶粒尺寸較大等因素，相同位產(chǎn)出的HBM相較DDR5約需消耗3倍投片量，且會排擠傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能。

如果美光要加速HBM市場滲透，考慮到2025年產(chǎn)能已被客戶預(yù)訂一空，新廠建設(shè)需求勢在必行。同時，美光計劃到2025年HBM產(chǎn)品線市占率保持在20%~25%水平，目標(biāo)提高至與傳統(tǒng)DRAM相當(dāng)。

這次廣島新廠也獲得日本政府補貼，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省去年10月宣布將提供美光1,920億日原建廠及設(shè)備補貼，另針對生產(chǎn)成本最高補貼88.7億日元、研發(fā)成本最高補貼250億日元。