據(jù)媒體報(bào)道，中國(guó)領(lǐng)先的存儲(chǔ)企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) ( CXMT ) 已經(jīng)開始準(zhǔn)備必要設(shè)備，計(jì)劃制造自己的 HBM 高帶寬內(nèi)存，以滿足迫切的 AI、HPC 應(yīng)用需求。

報(bào)道稱，長(zhǎng)鑫已經(jīng)在向美國(guó)、日本的供應(yīng)商下單采購(gòu)制造、組裝、測(cè)試 HBM 內(nèi)存的必要設(shè)備。

這說(shuō)明，相關(guān)開發(fā)設(shè)計(jì)工作已經(jīng)完成，可以轉(zhuǎn)入投產(chǎn)階段。

消息人士稱，早在 2023 年中，Applied Materials、Lam Research 等美國(guó)設(shè)備供應(yīng)商就獲得了美國(guó)政府的許可，可以向長(zhǎng)鑫出口 HBM 制造設(shè)備。

考慮到 HBM 內(nèi)存需要先進(jìn)、復(fù)雜的制造和封裝技術(shù)，這似乎暗示中芯國(guó)際在這方面也已經(jīng)取得了突破。

目前，長(zhǎng)鑫已經(jīng)在合肥有了一座 DRAM 內(nèi)存工廠，正在籌錢建設(shè)第二座，會(huì)導(dǎo)入更先進(jìn)的工藝，有可能會(huì)同時(shí)用來(lái)制造 HBM。

暫時(shí)還不清楚長(zhǎng)鑫要生產(chǎn)的 HBM 是第幾代，可能是 HBM3，而國(guó)際上已經(jīng)有了更先進(jìn)的 HBM3E，SK 海力士還計(jì)劃在 2026 年搶先投產(chǎn) HBM4。

根據(jù)規(guī)劃，HBM4 將拋棄用了將近十年的 1024-bit 位寬，首次升級(jí)到 2048-bit 位寬，并有望堆疊更多層級(jí)，從而在容量、帶寬上都實(shí)現(xiàn)一次重大飛躍。