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2024年中國半導體行業十大突破

2025-02-10
來源:網絡

2024年,對于中國半導體行業來說,是充滿挑戰與機遇的一年。盡管面臨外部壓力,但中國半導體行業依然取得了顯著的突破。以下為2024年中國半導體行業的十大事件,排名不分先后。

1?? 華為Mate70芯片的創新 ??
華為在Mate70 Pro智能手機中集成了先進的芯片,繼續挑戰技術封鎖。極客灣拆解分析顯示,麒麟9020在CPU部分引入了全新自研小核心,完全擺脫了Arm公版IP設計,CPU性能浮點提升47%,接近2GHz的A510性能水平。GPU性能提升26.7%,能效上追平了麒麟9000。

2?? 長鑫存儲的DDR5 ??
長鑫存儲推出了DDR5內存,標志著中國在內存領域取得了重要突破。

3?? 長江存儲的Xtacking 4.0架構閃存 ??
長江存儲的Xtacking 4.0架構閃存,提升了存儲密度和性能,為中國半導體存儲技術帶來了質的飛躍。

4?? 中芯國際排名上升至第三 ??
中芯國際在全球半導體代工市場中的排名從2023年的第四位上升至第三位,僅次于臺積電和三星電子。市場份額從2023年的約6%提升至2024年的8%以上。

5?? 意法半導體選擇華虹代工 ??
意法半導體選擇華虹代工,是對其技術實力和生產能力的認可,有助于減少對傳統代工廠的依賴,降低供應鏈風險。

6?? 中國28nm光刻機的突破 ??
在2024年9月份,中國首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄中明確提到氟化氪(KrF)光刻機和氟化氬(ArF)光刻機的技術指標,尤其是氟化氬光刻機,文件標明其波長為193nm、分辨率≤65nm、套刻<8nm。這標志著中國在光刻機領域取得了重要突破。

7?? 地平線的征程6 ??
地平線的征程6系列智駕芯片發布,采用5nm工藝,算力提升至200TOPS,能效比大幅優化,代表了中國智駕芯片的新高度。

8?? 中微半導體設備的國產化 ??
中微公司在3月份表示,其絕大部分刻蝕設備的零部件已實現國產化,并在很短的時間內,將全面實現自主可控的基礎。這一成就標志著中國半導體設備國產化進程的加速。

9?? 華大九天的股權變更 ??
華大九天宣布由無實際控制人變更為中國電子信息產業集團有限公司控制,這顯示了國家對EDA產業的重視,將有助于其加速技術研發和市場拓展。

?? 3nm手機SOC芯片 ??
作為國內第一款3nm手機SOC芯片,雖然不便多說,但依然值得一提。

這些突破不僅展示了中國半導體行業的實力和潛力,也為中國在全球半導體市場的地位奠定了堅實基礎。


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