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東芝推出具有更低導通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET,適用于快充設備

2023-05-18
來源:東芝電子元件及存儲裝置株式會社

  中國上海,2023年5月18日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFETSSM14N956L”,該器件可用于移動設備鋰離子(Li-ion)電池組中的電池保護電路。該產品于今日開始支持批量出貨。

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  鋰離子電池組依靠高度穩定的保護電路來減少充放電時產生的熱量,以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性,同時要求MOSFET小巧纖薄,且具有更低的導通電阻。

  SSM14N956L采用東芝專用的微加工工藝,已經發布的SSM10N954L也采用該技術。憑借業界領先[1]的低導通電阻特性實現了低功耗,而業界領先[1]的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。這些特性有助于延長電池的使用時間。此外,新產品還采用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701(2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。

  東芝將繼續開發用于鋰離子電池組供電設備中的保護電路的MOSFET產品。

  ▲應用

  -家用電器采用鋰離子電池組的消費類電子產品以及辦公和個人設備,包括智能手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設備、游戲控制器、電動牙刷、迷你數碼相機、數碼單反相機等。

  ▲特性

  -業界領先的[1]低導通電阻:RSS(ON)=1.1mΩ(典型值)@VGS=3.8V

  -業界領先的[1]低柵源漏電流:IGSS=±1μA(最大值)@VGS=±8V

  -小型化超薄TCSPED-302701封裝:2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)

  -共漏極結構,可方便地用于電池保護電路

  ▲主要規格

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  注:

  [1] 截至2023年5月的東芝調查,與相同額定值的產品進行比較。

  [2] 已發布產品。



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