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第 4 代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性
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華碩侵犯力士科技MOSFET專利被判賠償1050萬美元
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CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
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意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術的標準閾壓40V MOSFET
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強茂推出SGT MOSFET第一代系列：創新槽溝技術
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Vishay 新款150 V MOSFET具備業界領先的功率損耗性能
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Nexperia與KOSTAL就先進車規級寬禁帶器件達成戰略合作伙伴關系
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業界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極管系列
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Nexperia現提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封裝的汽車級小信號MOSFET
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Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產品組合可提供更高的設計靈活性
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Magnachip推出用于智能手機的第8代短溝道MOSFET
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
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Vishay推出具有業內先進水平的小型頂側冷卻
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意法半導體車規MDmesh DM9超結MOSFET提升硅片能效
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英飛凌為汽車應用推出業內導通電阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS? 7
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Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON)達到業內先進水平
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列
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英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2
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Vishay推出TrenchFET® 第五代功率MOSFET
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利用低電平有效輸出驅動高端MOSFET輸入開關實現系統電源循環
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