mosfet 相關(guān)文章(568篇)
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Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動(dòng)
發(fā)表于：6/24/2021 9:20:00 AM
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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證
發(fā)表于：6/10/2021 6:23:00 PM
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Vishay推出先進(jìn)的30 V N溝道MOSFET，進(jìn)一步提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效
發(fā)表于：6/1/2021 10:13:23 PM
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Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度
發(fā)表于：5/27/2021 12:55:00 PM
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這種晶體管有望取代MOSFET？
發(fā)表于：4/21/2021 9:31:12 AM
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Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級(jí)80 V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度
發(fā)表于：4/11/2021 6:37:00 PM
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如何優(yōu)化48V輕混電動(dòng)車(MHEV)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
發(fā)表于：3/23/2021 8:47:46 PM
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東芝推出采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，有助于提高大電流設(shè)備的效率
發(fā)表于：3/14/2021 10:03:00 PM
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東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化
發(fā)表于：2/26/2021 9:54:00 AM
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Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品
發(fā)表于：2/23/2021 9:59:19 AM
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Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過AEC-Q101認(rèn)證的100 V 汽車級(jí)P溝道MOSFET
發(fā)表于：1/11/2021 7:38:00 PM
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重磅！華潤(rùn)微發(fā)漲價(jià)函，打響2021年MOSFET漲價(jià)第一槍！
發(fā)表于：1/7/2021 12:57:00 PM
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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET
發(fā)表于：12/16/2020 5:11:26 PM
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Vishay推出業(yè)界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK® SO-8L非對(duì)稱雙芯片封裝60 V MOSFET
發(fā)表于：12/16/2020 11:25:28 AM
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Vishay推出符合AEC-Q101要求的PowerPAK® SO-8L非對(duì)稱雙芯片封裝60 V MOSFET
發(fā)表于：12/15/2020 9:22:53 PM
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各路芯片喊漲聲連成一片，Mosfet等元器件率先漲價(jià)
發(fā)表于：11/16/2020 10:08:31 PM
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智能功率模塊助力業(yè)界加速邁向基于碳化硅（SiC）的電動(dòng)汽車
發(fā)表于：11/3/2020 10:27:00 PM
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Nexperia首次亮相第三屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)
發(fā)表于：10/30/2020 3:02:04 PM
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Nexperia建立新的特定型應(yīng)用FET類別以優(yōu)化性能
發(fā)表于：10/23/2020 1:03:03 PM
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東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET
發(fā)表于：10/20/2020 3:25:00 PM
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貿(mào)澤開售Microchip AgileSwitch相臂功率模塊 兼具SiC MOSFET與二極管之長(zhǎng)
發(fā)表于：10/15/2020 4:55:00 PM
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ROHM開發(fā)出1mm見方超小型車載MOSFET！
發(fā)表于：9/30/2020 10:52:59 PM
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知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品的MOSFET
發(fā)表于：9/29/2020 5:00:43 PM
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Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源
發(fā)表于：9/23/2020 11:37:00 AM
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電動(dòng)汽車?yán)锏哪孀兤骱虸GBT是如何工作的？
發(fā)表于：8/21/2020 11:35:00 AM
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Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度
發(fā)表于：8/20/2020 2:57:00 PM
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Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 VP溝道MOSFET，可提高能效和功率密度
發(fā)表于：8/19/2020 4:17:00 PM
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ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析,從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌
發(fā)表于：8/17/2020 4:46:00 PM
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直接通過汽車電池輸入進(jìn)行DC-DC轉(zhuǎn)換：5 A、3.3 V和5 V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)
發(fā)表于：8/6/2020 3:29:00 PM
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Vishay推出新款30 V MOSFET半橋功率級(jí)模塊，輸出電流提高11 %
發(fā)表于：7/9/2020 5:31:00 PM
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