《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設計 > 解決方案 > MOSFET結構和工作原理

MOSFET結構和工作原理

2017-10-11

       功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz,特別適于高頻化電力電子裝置,如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小,耐壓低,一般只適用于小功率電力電子裝置。

電力場效應管的結構和工作原理

  電力場效應晶體管種類和結構有許多種,按導電溝道可分為P溝道N溝道,同時又有耗盡型和增強型之分。在電力電子裝置中,主要應用N溝道增強型。

  電力場效應晶體管導電機理與小功率絕緣柵MOS管相同,但結構有很大區別。小功率絕緣柵MOS管是一次擴散形成的器件,導電溝道平行于芯片表面,橫向導電。電力場效應晶體管大多采用垂直導電結構,提高了器件的耐電壓和耐電流的能力。按垂直導電結構的不同,又可分為2種:V形槽VVMOSFET和雙擴散VDMOSFET。

  電力場效應晶體管采用多單元集成結構,一個器件由成千上萬個小的MOSFET組成。N溝道增強型雙擴散電力場效應晶體管一個單元的部面圖,如圖1(a)所示。電氣符號,如圖1(b)所示。

圖片1.png


  電力場效應晶體管有3個端子:漏極D、源極S和柵極G。當漏極接電源正,源極接電源負時,柵極和源極之間電壓為0,溝道不導電,管子處于截止。如果在柵極和源極之間加一正向電壓UGS,并且使UGS大于或等于管子的開啟電壓UT,則管子開通,在漏、源極間流過電流ID。UGS超過UT越大,導電能力越強,漏極電流越大。


本站內容除特別聲明的原創文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。
主站蜘蛛池模板: 成人毛片免费在线观看 | 欧美成人性做爰网站免费 | 印度最猛性ⅹxxxxx | 性视频亚洲 | 欧美一二三区视频 | a大片久久爱一级 | 亚洲精品黄色 | 国产午夜亚洲精品 | 国产成人咱精品视频免费网站 | 精品91自产拍在线 | 深夜做爰性大片中文 | 亚洲 自拍 另类 欧美 综合 | 一区二区三区日本视频 | 欧美色xx| 黄色三级网| 中国日本高清免费视频网 | 九九九九热精品免费视频 | 久久精品国产精品亚洲20 | 视频偷拍一级视频在线观看 | 国产三级播放 | 国产一区二区三区免费视频 | 久久久网久久久久合久久久久 | 一级黄片一级毛片 | 日本亚洲视频 | 欧美成人h | 女人让男人桶的小视频 | 日本高清aⅴ毛片免费 | 色老头oldmoneyvideos | 国产日本韩国 | 国产成人mv在线观看入口视频 | 国产一级视频免费 | 欧美激情综合亚洲一二区 | 国产主播福利精品一区二区 | 日韩欧美在线视频观看 | 日本a一级片 | 日本午夜精品 | 久久免费播放 | 网站免费满18成年在线观看 | 日韩黄色免费观看 | 欧美成在线播放 | 免费国产不卡午夜福在线观看 |