【2025年2月27日， 德國慕尼黑訊】氮化鎵（GaN）技術在提升功率電子器件性能水平方面起到至關重要的作用。但目前為止，GaN供應商采用的封裝類型和尺寸各異，產品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN? G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶體管。
CoolGaN? G3 100V晶體管與WRTFN-9-2組合
英飛凌科技中壓氮化鎵產品線負責人Antoine Jalabert博士表示：“這兩款新器件兼容行業標準硅MOSFET封裝，滿足客戶對標準化封裝、更易處理和加快產品上市速度的需求。
CoolGaN? G3 100 V晶體管器件將采用5x6 RQFN封裝，典型導通電阻為 1.1 mΩ；CoolGaN? G3 80 V將采用 3.3x3.3 RQFN 封裝，典型電阻為2.3 mΩ。這兩款晶體管的封裝首次讓客戶可以采取簡便的多源采購策略，以及與硅基設計形成互補的布局，而新封裝與GaN組合帶來的低電阻連接和低寄生效應能夠在常見封裝中實現高性能晶體管輸出。
此外，這種芯片與封裝組合擁有更大的暴露表面積和更高的銅密度，使熱量得到更好的分布和散發，因此不僅能提高熱傳導性，還具有很高的熱循環穩定性。
供貨情況
采用 RQFN 封裝的IGE033S08S1 和 IGD015S10S1 GaN晶體管樣品將從2025年4月開始提供。
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