HBM3E 相關(guān)文章(33篇)
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美光宣布其用于英偉達AI芯片的HBM3E及SOCAMM已量產(chǎn)出貨
發(fā)表于：3/26/2025 11:25:39 AM
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消息稱SK海力士將獨家供應(yīng)英偉達12層HBM3E芯片
發(fā)表于：3/19/2025 9:17:00 AM
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消息稱美光將加入16-Hi HBM3E戰(zhàn)場
發(fā)表于：1/16/2025 11:26:14 AM
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三星電子HBM3E內(nèi)存性能未滿足英偉達要求
發(fā)表于：12/12/2024 11:44:11 AM
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SK海力士正式發(fā)布全球首款48GB 16Hi HBM3E
發(fā)表于：11/6/2024 10:58:25 AM
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SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發(fā)表于：11/4/2024 1:16:16 PM
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三星高管暗示其HBM芯片已獲英偉達質(zhì)量測試重大進展
發(fā)表于：11/1/2024 9:30:37 AM
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SK海力士將集成3D檢測單元以提升12層HBM3E的良率和產(chǎn)量
發(fā)表于：11/1/2024 8:33:31 AM
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NVIDIA B200 Ultra系列將改名為B300
發(fā)表于：10/23/2024 10:39:15 AM
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三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通過英偉達認證
發(fā)表于：10/18/2024 10:19:43 AM
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消息稱三星電子因向英偉達供應(yīng)延遲調(diào)減HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃
發(fā)表于：10/11/2024 10:10:51 AM
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SK海力士宣布大規(guī)模量產(chǎn)12層HBM3E芯片
發(fā)表于：9/26/2024 11:29:39 AM
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SK海力士調(diào)整生產(chǎn)線以便于專注先進HBM內(nèi)存量產(chǎn)
發(fā)表于：9/13/2024 9:50:00 AM
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美光宣布單顆36GB HBM3E內(nèi)存
發(fā)表于：9/11/2024 9:50:35 AM
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美光確認啟動生產(chǎn)可用版12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存交付
發(fā)表于：9/6/2024 10:55:59 AM
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SK海力士宣布9月底量產(chǎn)12層HBM3E
發(fā)表于：9/5/2024 11:25:20 AM
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三星電子HBM3E內(nèi)存已獲英偉達驗證
發(fā)表于：9/4/2024 9:33:36 AM
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消息稱三星8層HBM3E存儲芯片已通過英偉達測試
發(fā)表于：8/7/2024 8:50:00 AM
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三星芯片主管警告：不改革將陷入“惡性循環(huán)”
發(fā)表于：8/2/2024 8:16:00 AM
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三星計劃2024Q3量產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品
發(fā)表于：8/1/2024 1:16:16 PM
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三星成立新的HBM團隊推進HBM3E和HBM4開發(fā)工作
發(fā)表于：7/8/2024 8:37:00 AM
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消息稱英偉達H200芯片2024Q3大量交付
發(fā)表于：7/4/2024 8:27:00 AM
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NVIDIA13億美元大單預(yù)定HBM3E內(nèi)存
發(fā)表于：6/21/2024 8:30:18 AM
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SK海力士展示HBM3E等AI內(nèi)存解決方案
發(fā)表于：6/20/2024 8:35:45 AM
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SK 海力士將提升1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足HBM3E內(nèi)存需求
發(fā)表于：6/17/2024 8:35:28 AM
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黃仁勛確認三星HBM3e未通過英偉達認證
發(fā)表于：6/5/2024 8:57:20 AM
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消息稱三星電子8層堆疊HBM3E內(nèi)存尚未正式通過英偉達驗證
發(fā)表于：5/14/2024 8:39:21 AM
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SK海力士：12層堆疊HBM3E開發(fā)三季度完成
發(fā)表于：4/26/2024 8:59:13 AM
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消息稱三星和AMD簽署價值4萬億韓元的HBM3E 12H供貨協(xié)議
發(fā)表于：4/24/2024 12:25:28 PM
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消息稱三星將向英偉達獨家供應(yīng)12層HBM3E
發(fā)表于：3/25/2024 8:59:00 AM
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