T型柵GaN HEMT微波器件ESD特性研究 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:wwei | |
文檔大?。?span>3710 K | |
標(biāo)簽: GaN HEMT T型柵 ESD | |
所需積分:0分積分不夠怎么辦? | |
文檔介紹:對(duì)Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效機(jī)理與影響因素進(jìn)行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效電壓分布情況,并結(jié)合微光顯微鏡定位了引起器件退化的異常點(diǎn),進(jìn)行了對(duì)應(yīng)的微區(qū)分析。另外,還探究了T型柵幾何尺寸如柵腳、柵帽寬度與總柵寬等工藝參數(shù)對(duì)器件抗靜電能力的影響并進(jìn)行相關(guān)機(jī)理分析,為器件ESD性能、可靠性的優(yōu)化提供了方向與參考。 | |
現(xiàn)在下載 | |
VIP會(huì)員,AET專家下載不扣分;重復(fù)下載不扣分,本人上傳資源不扣分。 |
Copyright ? 2005-2024 華北計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號(hào)-2