| 基于碳化硅MOSFET半橋驅(qū)動及保護電路設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：6563 K | |
| 標簽： 碳化硅MOSFET 驅(qū)動電路 有源米勒鉗位 | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：針對碳化硅MOSFET驅(qū)動電路設計難度較大、門極易受串擾、保護功能不齊全以及全國產(chǎn)化的問題，基于國產(chǎn)芯片設計了一款碳化硅MOSFET半橋驅(qū)動及保護電路。重點分析總結(jié)了碳化硅MOSFET有源米勒鉗位保護、退飽和保護以及橋臂互鎖保護原理與模型。在隔離原邊信號與副邊信號的同時，采用18 V/-3.3 V的高低電平，實現(xiàn)對上、下橋臂碳化硅MOSFET的控制，同時集成了欠壓鎖定、退飽和保護、橋臂互鎖、有源米勒鉗位保護的功能。與國際先進水平Wolf Speed的碳化硅MOSFET驅(qū)動板CGD1200HB2P-BM2進行了參數(shù)對比和功能測試。實驗結(jié)果表明，該電路開關參數(shù)與CGD1200HB2P-BM2驅(qū)動板相近，滿足碳化硅MOSFET驅(qū)動需求，并能可靠觸發(fā)保護功能。電路已實際應用于碳化硅MOSFET的驅(qū)動中。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統(tǒng)工程研究所版權所有 京ICP備10017138號-2