| MOSFET的驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： MOSFET 驅(qū)動保護(hù)電路 場效應(yīng)晶體管 | |
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| 文檔介紹： 功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配；設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動模塊的MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在驅(qū)動無刷直流電機(jī)的應(yīng)用中證明，該電路驅(qū)動能力及保護(hù)功能效果良好。 | |
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