MOS管驅動基礎和時間功耗計算
所屬分類:技術論文
上傳者:serena
標簽: MOS
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文檔介紹: MOS關模型 Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd:是兩個不同作用的結果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊,第二是耗盡區(qū)電容(非線性)。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數(shù)。Cds:也是非線性的電容,它是體二極管的結電容,也是和電壓相關的。這些電容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時在輸入和輸出,因此等效值由于Vds電壓要比原來大很多,這個稱為米勒效應。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的,我們在實際應用的時候需要修改Cgd的值。
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