電子元件相關文章 ICCAD 2024新趨勢：IP企業攜手為汽車和桌面等熱點應用打造聯合IP解決方案 2024年12月11日-12日，“上海集成電路2024年度產業發展論壇暨中國集成電路設計業展覽會（ICCAD 2024）”在上海圓滿落幕，本屆大會參與人數超過了7000人，為歷屆ICCAD大會之最，再次彰顯了我國集成電路設計產業的蓬勃發展態勢和長三角地區的產業高度聚集。在本屆大會上，國內外硅知識產權（IP）提供商十分活躍，與IP直接相關的分論壇就有三個全天會場，并吸引了大量的芯片設計企業代表和投資人參會，IP企業之間越來越多的合作更是令人關注。 發表于：12/29/2024 邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響 過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩步增長，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。 發表于：12/29/2024 貿澤電子持續擴充工業自動化產品陣容 2024年12月23日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權代理商貿澤電子 （Mouser Electronics） 持續擴充其來自業界知名制造商和解決方案供應商的工業自動化產品陣容，幫助客戶奠定工業5.0發展的基礎。 發表于：12/28/2024 通過恩智浦PMIC和處理器為工業應用供電 電源管理是工業應用的關鍵考慮要素，對系統性能、可靠性和成本效率有重大影響。電源管理集成電路（PMIC）在調節電壓和為系統內的各種組件（包括處理器和外設）供電方面發揮著至關重要的作用。 發表于：12/28/2024 派克漢尼汾推出新的快換接頭產品系列，擴展熱管理解決方案 近期，運動與控制技術領域的先行者——派克漢尼汾宣布推出四個具有開創性的熱管理解決方案——NSAC、NSEC和NSIC系列盲插式快換接頭以及NSSC螺紋連接快換接頭。這些創新產品旨在滿足電子冷卻、電池制造、信息技術、能源管理、工程機械和運輸等行業復雜的熱管理需求。 發表于：12/28/2024 思特威全新推出智能交通應用9MP及6MP高性能CMOS圖像傳感器 2024年12月26日，中國上海 —思特威（上海）電子科技股份有限公司（股票簡稱：思特威，股票代碼：688213）近日宣布，全新推出高性能智能交通(ITS)應用全局快門圖像傳感器產品SC935HGS(9MP)及SC635HGS(6MP)。兩款新品基于思特威先進的SmartGS?-2 Plus技術打造，搭載Lightbox IR®近紅外增強技術，支持多種HDR模式，兼具高動態范圍、高幀率、低噪聲、無畸變等多項性能優勢。針對智能交通應用的實際場景，SC935HGS及SC635HGS進行了高溫性能、幀率、快門效率等多個關鍵能力的全面優化，能夠切實解決道路監測中的多類型痛點，充分滿足各類復雜條件下智能交通系統快速、清晰、準確、穩定的圖像捕捉需求。 發表于：12/27/2024 2025存儲前瞻：用存儲加速AI，高性能SSD普適化 縱觀2024年，存儲技術升級已經給AI計算、云端應用帶來了諸多便利，從年初鎧俠首款量產車規級UFS 4.0推動行業發展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學結構SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時下的存儲應用需求，并已經為未來存儲鋪墊全新的技術可行性。 發表于：12/27/2024 逐點半導體助力iQOO Z9 Turbo長續航版帶來旗艦級視覺體驗 中國上海，2024年12月27日——專業的圖像和顯示處理方案提供商逐點半導體宣布，新發布的iQOO Z9 Turbo長續航版智能手機搭載逐點半導體X5 Turbo視覺處理器，為多款人氣手游提供有針對性的幀率優化方案，讓高幀體驗無懼功耗負擔，同時還配備了多款游戲濾鏡，進一步豐富了玩家的視效體驗。此外，iQOO Z9 Turbo長續航版還為多款視頻APP適配了高幀畫質模式，將用戶追劇的沉浸感一鍵拉滿。 發表于：12/27/2024 二極管/三極管/場效應管測試專題 二極管、三極管和場效應管是電子電路中常見的半導體器件，它們的測試是確保電路可靠性和穩定性的重要環節。這種測試對于確保電子設備在不同負載條件下的性能、穩定性和可靠性至關重要這些測試方法可以幫助工程師和技術人員評估二極管、三極管和場效應管的性能，確保它們在電路中能夠正常工作。 發表于：12/26/2024 電阻/電容/電感測試專題 RCL負載由電阻（R）、電容（C）和電感（L）組成，用于模擬實際工作條件下的電路負載。通過調整RCL負載的參數，可以模擬不同的工作條件，包括額定功率、電流和電壓等。電阻電容電感（RCL）完整測試是指對電路中的電阻、電容和電感元件進行全面的性能測試和參數測量。這種測試對于確保電子設備在不同負載條件下的性能、穩定性和可靠性至關重要。 發表于：12/24/2024 場效應管的重要參數介紹 場效應管（FET）的重要參數包括： 1.最大漏源電壓（VDSmax）：場效應管漏極和源極之間能夠承受的最大電壓。 2.最大漏極電流（IDmax）：場效應管能夠承受的最大漏極電流，超過此值可能會導致器件損壞。 3.最大柵源電壓（VGSmax）：場效應管柵極和源極之間能夠承受的最大電壓。 4.閾值電壓（Vth）：使場效應管開始導電的最小柵源電壓。 發表于：12/23/2024 場效應管的主要類型介紹 場效應管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種電壓控制型半導體器件，它利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流。 場效應管具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。由于它僅靠極少量電流即可工作，因此非常適用于功率電路中作放大用；此外，這種電子元件還有較高的輸入阻抗和輸出電阻，因而也適用于信號處理、高頻振蕩和調制等電路中作輸入級或輸出級。 發表于：12/23/2024 三極管的重要參數介紹 三極管（晶體管）是電子電路中常用的半導體器件，它有多種類型，如雙極型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。不同類型的三極管有不同的參數，但以下是一些重要的通用參數： 發表于：12/23/2024 三極管的主要類型介紹 半導體三極管，也被稱為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件 它的主要功能是將微弱的電信號放大成幅度值較大的電信號，同時也被用作無觸點開關。三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。 發表于：12/23/2024 二極管的重要參數介紹 二極管的重要參數包括額定峰值反向電壓（VR）、額定直流正向電流（IF）、最大導通電流（IFM）、靜態電阻（RS）、正向壓降（VF）、動態電阻（rd）、反向漏電流（IR）、反向恢復時間（trr）、反向恢復電荷（Qrr）和熱阻（Rth）等。?? 發表于：12/23/2024 ?…3456789101112…?
