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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

JetBrains宣布停用Aqua測(cè)試自動(dòng)化IDE

4 月 23 日消息，JetBrains 昨日（4 月 22 日）發(fā)布公告，宣布由于 Aqua 未能達(dá)到預(yù)期的市場(chǎng)采用率，公司決定停用這一專(zhuān)為 QA 工程師設(shè)計(jì)的自動(dòng)化測(cè)試 IDE 產(chǎn)品。

發(fā)表于：4/23/2025

SK海力士宣布完成基于CXL 2.0 的 DDR5 96GB產(chǎn)品客戶(hù)驗(yàn)證

4 月 23 日消息，SK 海力士今日宣布，公司成功完成 CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶(hù)驗(yàn)證，是基于 CXL 2.0 標(biāo)準(zhǔn)的 DRAM 解決方案產(chǎn)品。

發(fā)表于：4/23/2025

意法半導(dǎo)體監(jiān)事會(huì)發(fā)表聲明對(duì)近期報(bào)道作出三點(diǎn)評(píng)論

4 月 15日，中國(guó) —— 意法半導(dǎo)體有限公司 (STMicroelectronics N.V.) 監(jiān)事會(huì)對(duì) 4 月 9 日意大利媒體的報(bào)道作出三點(diǎn)評(píng)論：

發(fā)表于：4/23/2025

復(fù)旦閃存新成果登Nature 突破閃存速度理論極限

史上最快的閃存器件，復(fù)旦團(tuán)隊(duì)造！其研發(fā)的皮秒閃存器件“破曉（PoX）”登上了Nature，擦寫(xiě)速度達(dá)到了亞納秒級(jí)，比現(xiàn)有速度快1萬(wàn)倍。并且數(shù)據(jù)不易丟失，按照實(shí)驗(yàn)外推結(jié)果，保存年限可達(dá)十年以上。

發(fā)表于：4/23/2025

基于高云Arora-V 60K FPGA實(shí)現(xiàn)的MIPI CPHY轉(zhuǎn)MIPI DPHY透?jìng)髂K

近期，高云代理商聯(lián)詮國(guó)際聯(lián)合合作伙伴DepEye（深目微）共同推出 MIPI CPHY轉(zhuǎn)DPHY (C2D)透?jìng)髂K：DEGC2DV60，功能基于高云GW5AT-LV60 FPGA實(shí)現(xiàn)，該產(chǎn)品適用于需要從 MIPI CPHY RX 橋接到 MIPI DPHY TX 的應(yīng)用場(chǎng)景。

發(fā)表于：4/22/2025

傳臺(tái)積電2nm已獲英特爾下單

4月22日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日本》報(bào)道，繼AMD之后，晶圓代工大廠(chǎng)臺(tái)積電最新的2nm制程已經(jīng)獲得了英特爾的下單。

發(fā)表于：4/22/2025

TrendForce：預(yù)計(jì)中國(guó)市場(chǎng)2025年人形機(jī)器人本體產(chǎn)值將超45億

4 月 21 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)今日發(fā)文，中國(guó)市場(chǎng)已有 11 家主流人形機(jī)器人本體廠(chǎng)商在 2024 年開(kāi)啟量產(chǎn)計(jì)劃，其中有 6 家如宇樹(shù)科技、優(yōu)必選、智元機(jī)器人、銀河通用、眾擎機(jī)器人、樂(lè)聚機(jī)器人等廠(chǎng)商對(duì) 2025 年量產(chǎn)規(guī)劃超過(guò)千臺(tái)。

發(fā)表于：4/22/2025

消息稱(chēng)三星電子正推動(dòng)DRAM制程升級(jí)

4 月 22 日消息，臺(tái)媒《電子時(shí)報(bào)》今日稱(chēng)，隨著三星電子推動(dòng) DRAM 內(nèi)存制程工藝的策略性轉(zhuǎn)換升級(jí)，多款采用老舊 1y nm（第二代 10nm 級(jí)）工藝 DRAM 顆粒的 DDR4 模組（內(nèi)存條）即將停產(chǎn)。具體來(lái)看，多家供應(yīng)鏈企業(yè)反饋收到產(chǎn)品 EOL（IT之家注：生命周期結(jié)束）通知函，多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 內(nèi)存條的最后訂購(gòu)日期是今年 6 年上旬，2025 年 12 月 10 日完成最后出貨。

發(fā)表于：4/22/2025

臺(tái)積電：無(wú)法保證半導(dǎo)體芯片不會(huì)被轉(zhuǎn)移到被禁企業(yè)

4月22日消息，據(jù)Tom's hardware報(bào)道，針對(duì)此前臺(tái)積電因在不知情的情況下為被美國(guó)列入黑名單的中企生產(chǎn)AI計(jì)算小芯片，或?qū)⒚媾R 10 億美元的罰款一事，臺(tái)積電在其最新的年度報(bào)告中承認(rèn)，在其代工的芯片離開(kāi)晶圓廠(chǎng)后，難以確保客戶(hù)不會(huì)將芯片轉(zhuǎn)移，以及了解芯片最終用途。換句話(huà)說(shuō)，臺(tái)積電不能保證類(lèi)似的事件不會(huì)重演。

發(fā)表于：4/22/2025

世強(qiáng)硬創(chuàng)重磅亮相2025慕尼黑上海電子展

世強(qiáng)硬創(chuàng)重磅亮相2025慕尼黑上海電子展以創(chuàng)新技術(shù)賦能全球電子產(chǎn)業(yè)鏈升級(jí)

發(fā)表于：4/22/2025

前十占九！“中國(guó)機(jī)構(gòu)正在主導(dǎo)全球芯片研究”

美國(guó)不斷加強(qiáng)對(duì)華芯片出口限制，試圖遏制中國(guó)獲取先進(jìn)半導(dǎo)體。但美國(guó)最新研究顯示，中國(guó)研究人員已加緊努力，進(jìn)行大量的基礎(chǔ)研究，目前在芯片設(shè)計(jì)和制造研究領(lǐng)域處于世界領(lǐng)先地位。

發(fā)表于：4/22/2025

印度提交埃米級(jí)芯片議案入局芯片戰(zhàn)

4月21日消息，印度聯(lián)合新聞社發(fā)布文章表示，印度頂尖研究機(jī)構(gòu)印度科學(xué)研究所（IISc）的30名科學(xué)家團(tuán)隊(duì)聯(lián)合向政府提交了一份開(kāi)發(fā)“埃級(jí)”芯片的議案，該芯片的尺寸遠(yuǎn)小于目前生產(chǎn)的最小芯片。

發(fā)表于：4/22/2025

臺(tái)積電美國(guó)廠(chǎng)4年巨虧400億臺(tái)幣南京廠(chǎng)大賺800億臺(tái)幣

4月21日消息，臺(tái)積電一直積極赴美投資建廠(chǎng)，總額高達(dá)1650億美元，計(jì)劃建設(shè)六座晶圓廠(chǎng)、兩座封裝廠(chǎng)、一座研發(fā)中心，未來(lái)甚至落地2nm、1.6nm級(jí)別先進(jìn)工藝，而因?yàn)榉N種原因，在內(nèi)地只能部署一些成熟工藝。根據(jù)臺(tái)積電最新公布的股東會(huì)年報(bào)，臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州新建的工廠(chǎng)，2024年虧損近143億元新臺(tái)幣，成為最燒錢(qián)的海外廠(chǎng)區(qū)。在此前三年，臺(tái)積電美國(guó)工廠(chǎng)因?yàn)橐恢碧幱谇捌谕顿Y建設(shè)階段，也是虧損連連，而且持續(xù)擴(kuò)大，2021年、2022年、2023年分別達(dá)48.1億元新臺(tái)幣、94.3億元新臺(tái)幣、109.24億元新臺(tái)幣，四年合計(jì)虧損幾乎達(dá)到400億元新臺(tái)幣。

發(fā)表于：4/22/2025

高穩(wěn)定性光纖激光器恒流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

光纖激光器波長(zhǎng)和輸出功率的穩(wěn)定性易受泵浦源驅(qū)動(dòng)電流波動(dòng)的影響，為應(yīng)對(duì)該問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一款高精度、高穩(wěn)定性恒流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。恒流源部分采用閉環(huán)負(fù)反饋原理，通過(guò)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）來(lái)控制恒流輸出，實(shí)現(xiàn)了對(duì)半導(dǎo)體激光器（LD）驅(qū)動(dòng)電流的精準(zhǔn)控制；限流保護(hù)電路利用二極管的限幅作用使LD免受過(guò)電流沖擊的影響，電流緩慢啟動(dòng)采用軟件控制的方法確保LD免受浪涌電流損害；光功率探測(cè)電路采用ADA4530芯片，確保在極低光照水平下也可精準(zhǔn)探測(cè)到功率輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該電路可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電流在0~1.2 A連續(xù)可調(diào)，電流短期（120 min）和長(zhǎng)期（24 h）穩(wěn)定性分別為±0.001 mA和±0.002 mA；激光器中心波長(zhǎng)波動(dòng)不超過(guò)±0.03 nm，輸出功率的穩(wěn)定度不超過(guò)0.084 3%，精度小于±0.15 mW。

發(fā)表于：4/21/2025

基于多線(xiàn)縫隙耦合的Ka波段薄膜功分器設(shè)計(jì)

傳統(tǒng)的功分器結(jié)構(gòu)由于高頻串?dāng)_明顯、阻抗變換線(xiàn)體積大等原因，難以滿(mǎn)足微波系統(tǒng)高頻率、小型化的需求。為此，提出一種基于多線(xiàn)縫隙耦合結(jié)構(gòu)的Ka波段功分器。從電路拓?fù)涑霭l(fā)，對(duì)該器件進(jìn)行了電路設(shè)計(jì)、建模仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。測(cè)試結(jié)果表明，該器件具備良好的高頻性能，且表現(xiàn)出通帶兩側(cè)具有傳輸零點(diǎn)的濾波響應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了多線(xiàn)縫隙耦合的薄膜功分器設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：4/21/2025

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