Vishay Siliconix推出具有業界最佳優值系數（FOM）的新款N溝道功率MOSFET
該器件是采用TO-247封裝的600V、47A器件，具有15.12Ω-nC的導通電阻
2010-11-08
作者：Vishay
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
柵極電荷與導通電阻的乘積是用于功率轉換應用中MOSFET的優值系數(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC，是業界此類器件當中最低的。
SiHG47N60S的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在太陽能電池和風力發電機的逆變器、通信、服務器和電機控制電源應用中的逆變器電路和脈寬調制(PWM)全橋拓撲中節約能源。
新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術制造，這種技術為減小通態電阻、在雪崩和通信模式中承受高能脈沖進行了有針對性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC，為保證可靠工作進行了完備的雪崩測試。
新款功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：[email protected]。