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Vishay Siliconix 推出新款超低導通電阻

2010-10-18
作者:Vishay

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻,柵極電荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。
 
  SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK)、SiHB16N50C (D2PAK)和SiHG16N50C (TO-247AC)的低導通電阻意味著更低的傳導損耗,從而在功率因數校正(PFC)升壓電路、脈寬調制(PWM)半橋和各種應用的LLC拓撲中節約能源,這些應用包括筆記本電腦的交流適配器、PC機電源、LCD TV和開放式電源。
 
  除了低導通電阻,這些器件的柵極電荷為68nC。柵極電荷與導通電阻的乘積是功率轉換應用中MOSFET的優值系數(FOM),這些MOSFET的FOM只有25.84 Ω-nC。
 
  新款N溝道MOSFET使用Vishay Planar Cell技術進行生產,該技術為減小通態電阻進行了定制處理,可以在雪崩和通訊模式下承受高能脈沖。與前一代MOSFET相比,SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C還具有更快的開關速度,并減小了開關損耗。
 
  這些器件符合RoHS指令2002/95/EC,并且經過了完備的雪崩測試,以實現可靠工作。
 
  新款功率MOSFET現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。
 

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