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愛發(fā)科發(fā)布多款半導體制造利器,引領先進制程技術革新

2025-03-28
來源:愛發(fā)科

創(chuàng)新技術賦能先進制造,推動產業(yè)效率革命?

2025年3月27日,Semicon China 2025期間,全球領先的真空設備制造商愛發(fā)科集團正式推出三款面向先進半導體制造的核心設備:?多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX?、?針對12英寸晶圓的?集群式先進電子制造系統(tǒng)uGmni-300以及離子注入系統(tǒng)SOPHI-200-H?。此次發(fā)布的產品以“靈活高效、智能協(xié)同”為核心設計理念,覆蓋晶圓制造、化合物半導體及封裝等關鍵領域,助力客戶實現(xiàn)技術突破與產能升級。

多腔室薄膜沉積系統(tǒng)ENTRON-EXX:靈活智造,釋放產能極限

ENTRON-EXX以?“靈活布局”、“高效生產”、“智能運維”?三大特性重新定義薄膜沉積工藝:

ENTRON-EXX適用于半導體邏輯芯片、存儲器(包括DRAM、NAND及新一代非易失性存儲器)以及封裝等各類尖端產品的生產。

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· 靈活模塊化設計?:采用即插即用平臺設計,徹底解決了原機型因獨立布線設計導致的設備連接復雜問題。新設計不僅縮短了設備啟動時間,更使模塊添加與更換更加便捷,模塊更換時間較原機型縮短50%;該系統(tǒng)最多可配置12個模塊,包括8個工藝模塊、2個Degas模塊,1個冷卻模塊和1個對準模塊。相較于EX,升級的中間冷卻與對準模塊能更好地滿足客戶多元化需求。

· 卓越生產力表現(xiàn)?:通過靈活配置,系統(tǒng)能最大限度滿足客戶多樣化需求,實現(xiàn)潔凈室空間的高效利用。相較ENTRON-EX,單平臺占地面積減少10%,組合平臺減少5%。

· 智能數(shù)據(jù)賦能?:新一代ENTRON-EXX顯著提升了數(shù)據(jù)采集能力:通過增加傳感器數(shù)量,數(shù)據(jù)采集周期縮短至原機型的1/10;系統(tǒng)能采集更精準、更海量的數(shù)據(jù),從而實現(xiàn)對設備運行狀態(tài)的高效分析。

集群式先進電子制造系統(tǒng)uGmni-300:12英寸晶圓一站式解決方案

uGmni系列以“統(tǒng)一傳輸核心”為核心,打造12英寸晶圓高度集成的電子制造平臺,實現(xiàn)了濺射、刻蝕、去膠、CVD不同工藝的靈活搭配,使這些工藝可以在統(tǒng)一的傳送核心上實現(xiàn)統(tǒng)一調配,大大提升了制造的靈活性和效率。

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· 全工藝兼容?:支持濺射、刻蝕、去膠、PE-CVD等工藝模塊自由組合,滿足多樣化需求。

· 大尺寸基板支持?:可處理300mm基板,適配先進封裝、MEMS及光電器件制造。

· 智能協(xié)同管理?:統(tǒng)一傳輸界面與標準化組件設計,減少備件庫存。

特別值得一提的是,uGmni不僅支持12寸晶圓,對于使用8寸片的產線客戶,愛發(fā)科也提供了uGmni-200的設備選項,可以根據(jù)客戶需求對應不同尺寸的基板。在性能指標方面,能夠為客戶提供詳細的參考數(shù)據(jù)。

同時,uGmni可以根據(jù)客戶的實際工藝需求,提供4邊的、6邊的、7邊、8邊等不同形狀的對接方案型號可供選擇。

離子注入系統(tǒng)SOPHI-200-H:突破束流極限,賦能精密制造新高度

SOPHI-200-H是一款為電子器件設計的高性能設備,可支持SiC、Si基功率器件  MEMS 及Smart cut工藝。無論是超薄基板還是特殊材料,它都能輕松應對,為半導體制造行業(yè)提供全方位的解決方案。無論是超薄基板還是特殊材料,它都能輕松應對,為半導體行業(yè)提供全方位的解決方案。

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高精度與高效率的完美結合:在生產力方面,SOPHI-200-H實現(xiàn)了重大突破。高壓終端升級后,束流強度實現(xiàn)了倍增,尤其在低能區(qū)表現(xiàn)顯著優(yōu)化。束流平行度可精準控制在0.1度以內,確保工藝的極致均勻性。

在工藝性能上,SOPHI-200-H同樣表現(xiàn)優(yōu)異:具備nA至mA量級的束流穩(wěn)定性,單一設備即可覆蓋從高到低的全束流工藝,大幅降低設備切換成本,提升生產效率。

SOPHI-200-H展現(xiàn)了極強的靈活性:可穩(wěn)定處理50μm至2000μm不同厚度基板,滿足多樣化需求。同時兼容玻璃基板及TAIKO基板,大大擴展了應用場景。

SOPHI-200-H以其高性能、高穩(wěn)定性和廣泛兼容性,為功率器件和電子器件制造提供了完善的解決方案。

?市場價值與行業(yè)展望

愛發(fā)科此次發(fā)布的三大創(chuàng)新設備,直擊半導體制造中的效率、靈活性與工藝集成痛點,尤其為碳化硅、氮化鎵等化合物半導體及先進封裝領域提供關鍵技術支撐。愛發(fā)科通過智能化、模塊化設計,助力客戶應對“小批量、多品類”的柔性制造趨勢,加速從研發(fā)到量產的轉化周期。這不僅展現(xiàn)了其在真空制造領域的技術領導力,更彰顯了以客戶需求為核心的研發(fā)理念。

愛發(fā)科中國市場總監(jiān)王禹表示:“愛發(fā)科始終勇于創(chuàng)新、竭盡所能。在半導體設備領域,愛發(fā)科有一只專業(yè)的專家團隊,客戶有任何設備上的問題,愛發(fā)科都將全力解決;有任何改進建議,我們都虛心接受并積極改進。在未來,愛發(fā)科愿意與業(yè)內先鋒一起,披荊斬棘,共同克服半導體先進制造的難關。”

通過靈活高效的模塊化設計、智能協(xié)同的工藝整合,以及覆蓋全產業(yè)鏈的解決方案,愛發(fā)科正助力全球客戶突破技術瓶頸,加速邁向“智造未來”。

未來,愛發(fā)科將繼續(xù)深耕真空技術與半導體制造工藝的融合創(chuàng)新,攜手行業(yè)伙伴推動產業(yè)鏈協(xié)同升級,為新能源、人工智能等前沿領域提供堅實的技術底座。


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