1 月 13 日消息，據(jù)韓媒“每日經(jīng)濟(jì)新聞”報(bào)道，三星電子正在美國(guó)得克薩斯州泰勒市建設(shè)一座先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片工廠，該公司聲稱其獲得了美國(guó)政府提供的 47.4 億美元（注：當(dāng)前約 348.34 億元人民幣）激勵(lì)資金，相應(yīng)工廠計(jì)劃于 2026 年開(kāi)始大規(guī)模芯片生產(chǎn)，目標(biāo)是與臺(tái)積電展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。

據(jù)報(bào)道，三星美國(guó)泰勒工廠將生產(chǎn) 2 納米和 3 納米工藝芯片。公司計(jì)劃在 2026 年初引入所有必要設(shè)備，并在年底前啟動(dòng)量產(chǎn)。相比之下，三星的最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電已經(jīng)在其位于美國(guó)亞利桑那州的工廠開(kāi)始生產(chǎn) 4 納米芯片，并計(jì)劃在今年內(nèi)具備生產(chǎn) 2 納米和 3 納米芯片的能力。

在技術(shù)上，三星將在 2 納米和 3 納米工藝中采用全柵極（Gate-All-Around, GAA）技術(shù)，而臺(tái)積電則會(huì)在 3 納米工藝中使用極紫外光刻（EUV）技術(shù)，并在 2nm 工藝中轉(zhuǎn)向 GAA 技術(shù)。盡管三星在進(jìn)度上略晚于臺(tái)積電，但其計(jì)劃通過(guò)提供“從開(kāi)發(fā)到生產(chǎn)的一站式解決方案”吸引客戶，據(jù)稱可將代工項(xiàng)目“從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的時(shí)間縮短約 20%”。