8月29日，存儲芯片大廠SK海力士宣布，全球首次成功開發出采用第六代10nm級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10nm級的超微細化存儲工藝技術。

SK海力士強調：“隨著10nm級DRAM技術的推進，精細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發展。”

SK海力士技術團隊表示，公司以1b DRAM平臺擴展的方式開發了1c工藝，由此不僅可以減少工藝高度化過程中可能發生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業界內以最高性能DRAM受到認可的SK海力士1b工藝優勢轉移到1c工藝。

而且，SK海力士在部分EUV工藝中開發并適用了新材料，也在整個工藝中針對EUV適用工藝進行了優化，由此確保了成本競爭力。與此同時，在1c工藝上也進行了設計技術革新，與前一代1b工藝相比，其生產率提高了30%以上。

據介紹，此次推出的1c DDR5 DRAM將主要用于高性能數據中心，其運行速度為8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。隨著AI時代的到來，數據中心的耗電量在繼續增加，如果運營云服務的全球客戶將SK海力士1c DRAM采用到數據中心，公司預測其電費最高能減少30%。

SK海力士DRAM開發擔當副社長金鍾煥表示：“1c工藝技術兼備著最高性能和成本競爭力，公司將其應用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先進DRAM主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值。今后公司也將堅守DRAM市場的領導力，鞏固最受客戶信賴的AI用存儲器解決方案企業的地位。”