8月18日消息，半導(dǎo)體公司NEO Semiconductor近日宣布推出3D X-AI芯片技術(shù)，被設(shè)計用于取代高帶寬內(nèi)存(HBM)中的現(xiàn)有DRAM芯片，以提升人工智能處理性能并顯著降低能耗。

3D X-AI芯片集成了8000個神經(jīng)元電路，這些電路直接在3D DRAM中執(zhí)行AI處理任務(wù)，實現(xiàn)了AI性能加速達(dá)到100倍。

與此同時，由于大幅減少了數(shù)據(jù)傳輸需求，該芯片的功耗降低了99%，有效降低了數(shù)據(jù)總線的功耗和發(fā)熱問題。

NEO Semiconductor的這一創(chuàng)新還帶來了8倍的內(nèi)存密度，其3D X-AI芯片包含300個DRAM層，支持運行更大規(guī)模的AI模型。

該公司此前已宣布全球首款3D DRAM技術(shù)，而3D X-AI芯片則是在此基礎(chǔ)上的進(jìn)一步創(chuàng)新，通過類似HBM的堆疊封裝，實現(xiàn)了每芯片高達(dá)10 TB/s的AI處理吞吐量。

NEO Semiconductor創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Andy Hsu指出，當(dāng)前AI芯片架構(gòu)中數(shù)據(jù)存儲與處理的分離導(dǎo)致了性能瓶頸和高功耗問題。

3D X-AI芯片通過在每個HBM芯片中執(zhí)行AI處理，顯著減少了HBM和GPU之間傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，從而提高性能并降低功耗。

行業(yè)分析師Jay Kramer認(rèn)為，3D X-AI技術(shù)的應(yīng)用將加速新興AI用例的開發(fā)，并推動新用例的創(chuàng)造，為AI應(yīng)用創(chuàng)新開啟新時代。