5 月 30 日消息，隨著 DRAM 小型化的不斷推進(jìn)，SK 海力士、三星電子等公司正在致力于新材料的開發(fā)和應(yīng)用。
據(jù) TheElec，SK Hynix 計劃在第 6 代（1c 工藝，約 10nm）DRAM 的生產(chǎn)中使用 Inpria 下一代金屬氧化物光刻膠（MOR），這是 MOR 首次應(yīng)用于 DRAM 量產(chǎn)工藝。
消息人士稱，SK Hynix 量產(chǎn)的 1c DRAM 上有五個極紫外 (EUV) 層，其中一層將使用 MOR 繪制。他還補(bǔ)充說，“不僅 SK 海力士，三星電子也將追求這類無機(jī) PR 材料。”
查詢公開資料獲悉，Inpria 是日本化學(xué)公司 JSR 的子公司，也是無機(jī)光刻膠領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者；而 MOR 則被認(rèn)為是目前用于先進(jìn)芯片光刻的化學(xué)放大光刻膠（CAR）的下一代產(chǎn)品。
此外，該公司自 2022 年以來就一直與 SK Hynix 合作進(jìn)行 MOR 研究。SK Hynix 此前曾表示，使用 Sn（基）氧化物光刻膠將有助于提高下一代 DRAM 的性能并降低成本。
TheElec 報道還指出，三星電子也在考慮將 MOR 應(yīng)用于 1c DRAM，目前三星電子在 1c DRAM 上應(yīng)用了 6 至 7 個 EUV 層，而美光則只應(yīng)用了 1 層。
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