4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了 40% 的良率，這高于一般的 10% 起點(diǎn)，也好于此前同制程產(chǎn)品的不足 20%。

40% 只是一個(gè)初期成績(jī)，未來(lái)會(huì)隨著芯片制造的成熟逐步提高。而該百分比顯示 4nm HBM4 邏輯芯片的進(jìn)一步開(kāi)發(fā)有了較為穩(wěn)定的基礎(chǔ)。

三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用較為激進(jìn)的技術(shù)路線(xiàn)，以挽回局面。

三星電子將在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 內(nèi)存芯片和 4nm 邏輯芯片，雖然邏輯芯片端的初始成績(jī)較為喜人，但 1c DRAM 方面似乎遇到了一些問(wèn)題。

另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，自 1z nm 時(shí)期開(kāi)始出現(xiàn)的電容漏電問(wèn)題正對(duì)三星 1c nm DRAM 的開(kāi)發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。三星試圖通過(guò)適當(dāng)放寬線(xiàn)寬等方式來(lái)改進(jìn)電容器表現(xiàn)，但穩(wěn)定性尚未達(dá)到預(yù)期水平，很可能會(huì)拖慢 1c nm 進(jìn)度。