4 月 30 日消息，根據韓媒 TheElec 報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 極紫外（EUV）光刻工藝中應用金屬氧化物抗蝕劑（MOR）。
MOR 被業內認為是下一代光刻膠（PR），會接棒目前先進芯片光刻中的化學放大膠（CAR）。CAR 在 PR 分辨率、抗蝕刻性和線邊緣粗糙度方面已經無法完全滿足未來光刻的需求。
三星正考慮在第 6 代 10 納米 DRAM（1c DRAM）中使用 MOR，主要在六層或七層上使用 EUV PR，相關產品將于今年下半年投入生產。
消息稱三星正計劃向多家供應商采購 EUV MOR 光刻膠材料，除了 Inpria 之外杜邦、東進半導體、三星 SDI 等都在測試開發。
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