據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士表示，生成式AI市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年35%的速度增長(zhǎng)，而SK海力士有望在2026年大規(guī)模生產(chǎn)下一代HBM4。

據(jù)了解，HBM類產(chǎn)品前后經(jīng)過(guò)了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開(kāi)發(fā)，其中HBM3E是HBM3的擴(kuò)展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產(chǎn)品。

HBM4堆棧將改變自2015年以來(lái)1024位接口的設(shè)計(jì)，采用2048位接口，而位寬翻倍也是是HBM內(nèi)存技術(shù)推出后最大的變化。

目前單個(gè)HBM3E堆棧的數(shù)據(jù)傳輸速率為9.6GT/s，理論峰值帶寬為1.2TB/s，而由六個(gè)堆棧組成的內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬則高達(dá)7.2TB/s。

出于可靠性和功耗方面的考慮，一般速度不會(huì)達(dá)到最高的理論帶寬，像H200的峰值帶寬為4.8TB/s。

此外，HBM4在堆棧的層數(shù)上也有所變化，除了首批的12層垂直堆疊，預(yù)計(jì)2027年存儲(chǔ)器廠商還會(huì)帶來(lái)16層垂直堆疊。