2022年，智能手機、PC等消費電子市場需求放緩，供需失衡之下，庫存持續上升，存儲芯片市場不可避免受到嚴重影響。

　　TrendForce表示，DRAM價格自年初以來就一路走跌，下半年合約價每季跌幅更超過10%，顯見需求市場的嚴峻；閃存市場同樣呈現供過于求的狀態，導致第三季wafer價格跌幅達30%-35%，預計第四季NAND價格持續下探。

　　Gartner此前觀點表示，全球半導體市場疲軟期至少將持續到2023 年，預計明年的半導體收入將下降2.5%左右。而存儲芯片市場的下滑勢頭會更大，可能突破10%。

　　世界半導體貿易統計協會（WSTS）給出的預測更為悲觀。其表示，受到存儲芯片市場急劇冷凍所拖累，2023年的全球半導體市場規模將萎縮4.1%至5570億美元，存儲芯片市場則將出現17%的降幅。

　　市場的供過于求強烈推動了存儲市場進入下行周期，存儲芯片的頭部廠商正努力跨越“寒冬”。

　　在存儲產業陣陣寒意再次涌上心頭之際，我們來回顧一下存儲行業的發展歷程，以求從中汲取經驗，反哺行業發展。

　　以史為鏡，可以知興替。

　　存儲行業興起于上實際60年代，是半導體行業重要的細分領域，約占整個半導體行業的25%。DRAM和NAND閃存為存儲芯片行業中占比最高的兩個分支，銷售總額占據了整個存儲芯片行業90%以上的市場份額。

　　存儲行業的發展歷程大致可分為3個階段。1990年以前，DRAM為存儲芯片市場上主要的產品，且伴隨少量的EPROM和EEPROM；1990年至2000年，NOF Flash開始逐步占據一定比例的市場份額；2000年以后，NAND Flash開始爆發式增長，其市場規模直逼DRAM, 而NOF Flash的市場規模于2006年達到頂峰后開始逐漸下滑，但于近兩年又開始有微小上升趨勢。

　　存儲行業的主要玩家伴隨歷史發展發生了顯著的變化，霸主地位由一開始的美國企業（1969-1984年）逐步轉移到日本（1985-1996年），最后再轉移到韓國企業（1996-現在）。

　　據WSTS統計，目前在DRAM市場，三星、美光、SK海力士合計占比約94%；NAND Flash領域，三星、鎧俠、SK海力士、西部數據、美光、英特爾合計占比約98%。

　　DRAM產業“第六次大蕭條”

　　相比于過去兩年的“一芯難求”，隨著消費電子市場進入下滑周期，以DRAM為代表的芯片需求正在快速下滑。

　　DRAM產業正在被貼上“第六次大蕭條”、“產業下行”、“市場寒冬”的標簽?？v觀內存芯片全球發展史，圍繞DRAM產業發展而產生的激烈競爭此起彼伏。

　　1966年，來自IBM的羅伯特·登納德成功研發出MOS型晶體管+電容結構，半導體存儲器的發展從此開啟。

　　行業發展早期，Intel依靠DRAM量產實現一家獨大。由于當時大中型計算機使用的磁鼓存儲器笨重昂貴，Intel向計算機用戶大力宣傳DRAM，1972 年憑借 1K DRAM 取得巨大成功。服務于HP、DEC等重要客戶，IBM在新推出的S370/158大型計算機上，也開始使用DRAM內存。

　　1974年，英特爾DRAM產品的全球市場份額達到驚人的82.9%。就在英特爾在DRAM領域賺得盆滿缽滿的同時，競爭對手也在迅速崛起。1973年，美國德州儀器（TI）、莫斯泰克（Mostek）、日本NEC等廠商先后進入DRAM市場。

　　其中，Mostek利用技術升級成為市場霸主，70年代后期，Mostek一度占據了全球DRAM市場85%的份額?？上?，沒過多久，因遭遇資本市場的惡意收購，公司發展遭遇較大障礙。Mostek被UTC收購，后來又轉賣給了意法半導體。1978年，幾位從Mostek公司離職的技術人員，在愛達荷州一家牙科診所的地下室，共同創立了一家新的存儲技術公司，也就是后來的存儲巨頭——Micron（美光）。

　　Mostek是內存界第一個敗退的巨頭，也為美國群雄接下來的連續崩潰埋下了伏筆。

　　除了國內競爭對手之外，英特爾面臨的更大威脅來自國外。1970年代，經濟高速崛起的日本看到DRAM市場潛力后，在70年代末期以舉國體制發展DRAM技術，成立了VLSI聯合研發體。在VLSI項目的幫助下，1977年日本成功研制出了64K DRAM，追平了美國公司的研發進度。

　　隨后日本 DRAM 產業進入增長爆發期。到了1980年代中期，富士通、日立、三菱、 NEC、東芝等一眾日本廠商繼續發力，憑借質量和價格優勢，快速占領全球市場，開始反超美國公司。

　　1984年，日立生產的DRAM內存已開始采用1.5um生產工藝，三菱甚至公開4M DRAM關鍵技術。到1986年，僅東芝一家，每月1M DRAM產量就超過100萬塊。

　　由于日本廉價DRAM的大量傾銷，美光被迫裁員一半，只得向美國政府尋求幫助；Intel也深陷泥潭，無奈退出DRAM市場。

　　另外，1983-1985年游戲機市場的崩盤，市場銷量下降到只有之前的10%不到，也是導致內存嚴重過剩，導致了Intel和國家半導體等美國廠商退出DRAM領域的一個重要原因。

　　1986年，日本存儲器產品的全球市場占有率上升至65%，而美國則降低至30%。

　　然而，就在日本半導體廠商橫掃存儲市場的時候，外部政治環境開始發生了微妙的變化。1985年日美關系發生轉變，美國主導的《廣場協議》以及對日本半導體產品發起反傾銷訴訟，致使日本產品性價比極速下降。

　　在接二連三的打擊下，日本半導體產品市場份額一落千丈，很快喪失了主導權。

　　此時產業的發展機會轉向了韓國，韓國三星、LG、現代、大宇等財閥集團也看中了半導體技術的市場前景，通過購買、引進技術專利及加工設備，對其進行消化吸收，積蓄技術力量。其中，三星通過購買專利疊加自研的方法迅速崛起，隨后在 DRAM領域繼續保持著高投入研發，最終實現技術超越成為新巨頭。

　　1998年韓企在DRAM份額超過日本企業。

　　DRAM產業經歷了幾十多年的發展，如果用一個詞來形容這四十年，那就是——“腥風血雨”。

　　2001年，因為現代電子從現代集團中拆分，公司改名為海力士。同年美光完成收購德州儀器的內存部門，隨著1999年到2001年內存行業整合結束，三星、美光、海力士、英飛凌四家掌握有全球近八成的DRAM市場份額。

　　在經過日韓兩國之間不斷的價格戰，激烈競爭的大浪淘沙后，DRAM市場玩家剩下三星、SK海力士、奇夢達、美光、爾必達這五家。

　　2007年微軟推出Vista系統，提高了對內存的消耗，各大廠商紛紛擴大產能以應對市場需求，結果Vista銷量平淡，供過于求的DRAM價格便一路下滑，并在2008年全球金融危機中跌破材料成本。

　　此時的三星為了提高市場占有率，不惜虧本擴大產能加劇行業虧損，導致奇夢達和爾必達接連被淘汰。在歷經多年搏殺后，全球DRAM廠商逐漸從“群雄逐鹿”變成“三足鼎立”。

　　2016年手機內存需求的快速增長導致全球內存芯片缺貨，而內存條價格也跟著水漲船高。據Business korea報道，內存價格大漲的背后可能不全是市場因素，是三星、美光等存儲公司通過削減產量、減少供應的方式，抬高了DRAM的價格。

　　可見，商業世界里，一個行業高度壟斷可能造成的結果是：頭部廠商有可能操縱產量和價格，用低價來擠垮競爭對手，或用漲價來謀取暴利。

　　DRAM產業最大的特點就是其周期性規律。業內人士曾指出：DRAM存儲，每賺錢一年，就要虧錢兩年，所謂“賺一虧二”。

　　在這種強烈的周期性規律下，想要長期生存下去，是一件非常困難的事情。DRAM廠商需要有強大的現金流和融資能力，能夠維持高強度的研發支出，保持團隊的穩定。

　　在虧損周期，DRAM廠商需要更多的錢，才能夠活下去。在繁榮周期，也不能大意。廠商在選擇擴充產能時機時，需要非常謹慎。不然就可能導致供大于求，盈利變虧損。

　　“逆周期投資”法寶

　　四十年前，全球大概有幾十家DRAM廠商。如今，只剩下三家，競爭之殘酷，由此可見一斑。這四十年里，有一家企業不僅堅持活了下來，還干掉無數對手，長期占據霸主地位。這家企業，就是前面提到的三星。

　　三星這家公司，就是靠著韓國的舉國之力，接二連三地采用“逆周期投資”策略，干掉了無數對手，成為了半導體存儲領域的老大。

　　第一次“逆周期投資”

　　三星的第一次“反周期投入”，就發生在前文所說的1980年代中期。

　　彼時，日美激戰正酣，DRAM市場普遍不景氣，價格大跌，從1984年初的每片4美元下降到1985年的30美分。而三星推出64K DRAM時，生產成本是1.3美元/片。

　　面對行業寒冬，三星不僅沒有收縮投資，反而開始逆向投資，擴大產能，并開發更大容量的DRAM。到1986年底，三星半導體累積虧損3億美元，股權資本完全虧空，接近破產。

　　關鍵時期，韓國政府出手“救市”，總共投入近3.5億美金，并且以政府名義背書，給三星拉來了20億美元的個體募資。并且趕上日本半導體被美國壓制，加上PC電腦進入熱銷期帶來的行業繁榮，使得三星順利翻盤，迎來業績增長。

　　不久后，以三星為代表的韓系DRAM廠商，逐漸蠶食了日本半導體企業讓出的市場份額，占據了市場的主導地位。

　　第二次“逆周期投資”

　　1992年，日本住友樹脂廠發生爆炸，導致原材料供應緊張，內存價格暴漲。這一年，三星率先推出世界上第一個64M DRAM。

　　1993年，全球半導體市場又開始轉弱。這時，三星故技重施，采取了第二次“反周期投入”，投資興建8英寸硅片生產線來生產DRAM。

　　1995年，微軟公司Windows95視窗操作系統發布，極大地刺激了內存的需求，帶動內存價格大幅上揚，三星的投資獲得回報。全球各大廠商后知后覺，紛紛投資擴大產能。

　　然而，到了1995年底，各廠商8英寸晶圓廠投產后，導致產能急劇增加，使得DRAM供大于求。于是，賣方市場又變成了買方市場，價格又開始下跌。在此情況下，廠商們被迫削減產量，減小投資規模。

　　三星繼續擴大投資。1996年，三星推出世界上第一個1GB DRAM，奠定了行業領軍地位。

　　直到1999年，DRAM價格下跌的趨勢有所緩解。因為互聯網泡沫的出現，DRAM行業進入了短暫的繁榮階段。

　　同年，在激烈的競爭環境下，DRAM行業發生了若干重大變化：

　　韓國現代內存與LG半導體合并，成立現代半導體，后來，又從現代集團拆分（2001年），改名海力士（Hynix）；美國存儲廠商美光收購德州儀器內存部門；日本方面，日立、NEC、三菱電機的DRAM業務整合，抱團成立了爾必達。

　　歐洲方面，西門子集團的半導體部門獨立，成立了億恒科技，2002年改名為英飛凌。再后來，2006年英飛凌科技存儲器事業部拆分獨立，變成了奇夢達。

　　然而好景不長，隨著互聯網泡沫破碎，2000年全球遭遇互聯網危機。PC市場遭受重創，DRAM的市場需求也急速下降，而三星、美光、海力士、英飛凌等龍頭企業剛經歷擴產，價格又迎來了跳水，DRAM市場規模從288億美元腰斬至110億美元。

　　經濟危機過后，DRAM市場從低谷中逐漸恢復。2006年，三星開發出世界上第一個50nm工藝的1GB DRAM；海力士則開發出當時世界上最高速的200MHz 512MB Mobile DRAM。

　　那一時期，DRAM市場逐漸形成了五強格局：三星（韓）、SK海力士（韓）、奇夢達（德）、美光（美）和爾必達（日）。

　　第三次“逆周期投資”

　　2007年，微軟推出Vista系統。該系統對內存消耗較大，DRAM廠商預期內存需求大增，于是紛紛增加產能。但實際上，Vista銷量很差，沒有帶動內存市場，導致產能再次過剩。

　　更殘酷的是，2008年金融危機爆發，導致DRAM市場雪上加霜。內存價格一路下跌，甚至跌破材料成本，行業面臨洗牌。

　　就在眾廠商哀鴻遍野時，三星第三次舉起了“反周期”屠刀，決定將三星電子總利潤的118%投入DRAM擴張業務，進而加劇行業虧損，給艱難度日的對手們壓上最后一根稻草。

　　當年排名第三的德系廠商奇夢達成為倒在2009年春天的第一個大廠。自此，歐洲玩家正式退出DRAM 市場。2012年初，曾經的DRAM頭部廠商爾必達也支撐不下去了，宣布破產，曾經占據DRAM市場50%以上份額的日本，也輸掉了最后一張底牌。

　　總結來看，三星充分利用了存儲器行業的強周期特點，在價格下跌，生產過剩，其他企業削減投資的時候，逆勢瘋狂擴產，通過大規模生產進一步下殺產品價格，從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產，世人稱之為“逆周期投資”。

　　三星的逆周期投資已經成為半導體界的一段傳奇故事。

　　至此，DRAM領域形成了三星、SK海力士、美光“三足鼎立”的局面。2011年之后，DRAM內存的市場格局沒有發生什么重大變化。但是，DRAM的用戶需求和市場環境，變化很大。

　　之后，三大DRAM廠商為提高自身市占率 ，繼續大打價格戰，DRAM價格不斷下跌。2017-2018年，受益于數據中心、智能手機市場需求，DRAM市場迎來增長。服務器DRAM、移動DRAM需求成長，DRAM廠商的供應量增長低于市場需求量，DRAM價格一路上揚。此外，運算加密貨幣所需的繪圖型DRAM推動了市場供不應求加劇。

　　2019 年，由于前期產能擴張和去庫存因素，存儲芯片價格下跌較多。加密貨幣市場價格崩塌、智能手機市場進入成熟期，驅動市場進一步需求疲軟，DRAM價格跌幅最高達37%。

　　1994年以來，DRAM江湖經歷了五次大蕭條。目前，DRAM行業又處于多周期疊加下的“寒冬”，DRAM產業的第六次蕭條或許正在路上。

　　DRAM江湖：從群雄割據，到三分天下

　　總體上來說，DRAM產業每3-5年都經歷“需求提出-供不應求-價格上漲-擴充產能-產能過剩-價格下跌-重新洗牌”的過山車，如此不斷循環。

　　縱觀 DRAM發展歷史，DRAM產業具備成長和周期雙重屬性，圍繞成本、技術、品質等為核心競爭要素，而背后需要企業在融資能力、產業鏈配套及人才梯隊等全方位儲備，考驗企業系統性的資源調動能力。

　　DRAM行業早期競爭激烈，參與者眾多，70 年代是市場分水嶺。1972 年，Intel 憑借 1K DRAM研發取得成功，迅速占領市場。同時期，IBM 和德州儀器也開始入局。1973 年，PC 需求放緩對半導體產業造成沖擊。德州儀器和各大日本廠商抓住時機進入內存市場，Intel 市場份額快速下降。80 年代，日本廠商憑借低價的優勢份額持續提升，韓國三星也在此時開始布局DRAM。1984 年，Intel 開始退出市場；1998 年，德州儀器將存儲業務出售給美光；1999年 IBM 也將合資工廠出售給東芝并退出市場。

　　過去50多年的發展歷程中，存儲企業間搏殺慘烈，王朝幾經更替。美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，興高采烈地走進來，卻在輸光之后黯然離場。無數名震世界的產業巨頭轟然倒地，就連開創DRAM產業的三大元老——英特爾、德州儀器和IBM，也在商業廝殺中含恨退出了DRAM市場。

　　經過大浪淘沙后，英特爾、IBM、英飛凌、Motorola、德州儀器、日立、三菱、東芝、松下、現代、LG等廠商紛紛退出了DRAM江湖。

　　近10年來DRAM市場集中度逐漸上升，當前全球DRAM廠商的數量不到10家，形成了三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局，在DRAM市場呼風喚雨，賺得盆滿缽滿。2021年，三巨頭總共占有94%的DRAM市場份額。

　　NAND閃存，35年跌宕起伏

　　另一邊，NAND閃存市場同樣激烈。

　　在日美激戰正酣的1984年，東芝（2017年4月東芝存儲器集團從東芝公司剝離，并于2019年10月正式更名為KIOXIA，中文名為鎧俠）跨時代地提出了“閃存”概念，宣告一個新時代的到來。

　　遺憾的是，Flash閃存并沒有得到東芝公司的充分重視。相比已經開跑多年的DRAM，以及日本DRAM正強勢碾壓美國，剛面世的NAND閃存在東芝眼里瞬間黯然失色。

　　直到三年之后，東芝才根據閃存的概念發明出了全球第一塊NAND閃存芯片，為之后的電腦、智能手機、數據中心等許多新應用奠定了技術基礎。

　　整個90年代末，受益于手機、數碼相機、便攜式攝像機、MP3播放器等消費數碼產品的爆發，Flash市場規模迅猛提升。當時，市場一片繁榮，參與的企業也數量眾多。

　　此時的閃存市場，競爭開始加劇，英特爾、三星、東芝等廠商互不相讓地追逐NAND閃存的制高點。

　　進入21世紀，NAND Flash崛起的勢頭更加迅猛。

　　在互聯網泡沫與美國的圍追堵截之下，2001財年，東芝在巨額虧損之下徹底剔除DRAM，將DRAM業務賣給了美光。之后便決意重拾此前不被自己重視的NAND閃存業務。

　　三星則一路披荊斬棘，將NAND閃存的容量從1G升到2GB、4Gb、8Gb、16Gb、32Gb、64Gb，在工藝方面，三星成功開發出90nm、70nm、50nm、40nm、30nm。

　　雖然退出DRAM市場，但在閃存領域，英特爾并未放棄。1992年，英特爾第一款NAND閃存產品姍姍來遲，容量為12MB。

　　在這場技術競賽中，單打獨斗不是市場的主旋律。東芝聯手閃迪，英特爾則選擇了美光。

　　在DRAM爭霸賽中發展良好的美光，在NAND閃存領域比其余幾家存儲企業出發都晚。2005年，英特爾與美光成立合資公司IM Flash，珠聯璧合一方面是抵御三星與東芝的沖擊，另一方面則是押注未來，全力進軍3D NAND。

　　2007年，手機進入智能機時代，喬布斯在舊金山的馬士孔尼會展中心，從口袋中掏出了那款影響世界的iPhone，再次對閃存市場技術格局造成影響。

　　基于芯片性能和應用需求，NOR Flash的市場份額開始被NAND Flash大量取代。NAND閃存迎來黃金期，同時各家企業在新技術上的競賽也更加激烈。

　　也是在這一年，2D NAND走到頭。這一次東芝又引領了潮頭，獨辟蹊徑發布基于BiCS技術的3D NAND。而三星并沒有借鑒東芝的結構，反而另辟蹊徑選擇了VG垂直柵極結構的V-NAND閃存。

　　閃存行業進入3D時代。此后數年，英特爾與美光、東芝（鎧俠）、SK海力士以及三星走在在追逐更高密度，更高層數的道路上。

　　產業發展初期，朝氣蓬勃，各家企業都能找到屬于自己的生態位，產業一旦進入成熟期，并購加劇，馬太效應之下生態位要么擴張，要么被蠶食。2010年之后，整個閃存行業動蕩不安，收購事件此起彼伏，一方面鞏固自身優勢，另一方面彌補短板。

　　LSI收購Sandforce、閃迪收購IMFT、 蘋果收購Anobit、Fusion-io收購IO Turbine。其中美光與SK海力士是最為活躍的兩家企業。

　　據統計，美光在2010完成對閃存制造商Numonyx的并購，2012年收購PCle虛擬化解決方案供應商Virtensys，2015年收購SSD控制器初創公司Tidal，2019年正式收購IM Flash。SK海力士則在2012年收購意大利NAND閃存開發商Ideaflash，并在2021年拿下英特爾的NAND閃存業務。

　　而英特爾與美光這一對戰友對技術路線出現了分歧。2019年，英特爾與美光正式結束了在NAND Flash技術方面長達14年的合作關系。最終美光收購了IM Flash，英特爾則獨自建立了NAND Flash和3D XPoint存儲器研發團隊，但沒多久，英特爾就徹底放下了NAND Flash，如同其當年放下DRAM一樣。這一決定算是宣告英特爾對NAND閃存的告別，同時也切斷了基于3D XPoint技術打造出傲騰（Optane）產品線，同時也為英特爾的存儲之路徹底地畫上句號。

　　英特爾告別賽場之后，將一部分財產留給了昔日戰友美光，另外的場地留給了后起之秀SK海力士。2021年12月底，SK海力士以90億美元的價格接手了英特爾NAND閃存業務及SSD業務，后在美國成立NAND閃存解決方案提供商Solidigm。2021年第四季度，海力士加上Solidigm的市場總份額來到了全球第二，僅次于三星。

　　通過市場博弈和整合并購，NAND Flash領域的玩家數量越來越少。最終，形成了由三星、SK海力士、鎧俠、西部數據、美光等巨頭為主導的集中型市場。

　　NAND的江湖春秋

　　自1987年發明NAND閃存以來，經過了35年的跌宕起伏，有前浪退出，也有后浪涌進。東芝雄霸市場、三星一躍龍門、美光與SK海力士強勢突圍，以及退出賽場的英特爾，都為NAND Flash市場演繹了一場橫跨時空的精彩劇情，并創寫了屬于自己的江湖春秋。

　　從WSTS公布的出貨量數據來看，NAND閃存的發展大致可以分為三個階段。2000年至2016年間，NAND閃存出貨量呈現線性增長趨勢；2016年至2018年，出貨量相對穩定；2018年之后，受益于數據中心市場增長，NAND閃存出貨量隨之增加。

　　從NAND閃存市場的角度看，隨著2001年以后音樂播放器、數碼相機、手機等領域疾速增長，NAND閃存市場需求持續上揚，出貨量以線性趨勢持續增加。

　　發展至今，大數據、云計算、元宇宙等新興領域的快速發展，對NAND產品的容量、性能、功耗提出了更高的要求。在技術沒有代際差異的情況下，NAND產品趨于標準化同質化，成本、堆疊層數和市場規模正在成為NAND產業接下來的競爭焦點。一系列閃存廠商再次紛紛加速技術演進和市場布局，以爭奪NAND閃存市場的主導權。

　　寫在最后

　　回顧存儲行業的發展歷史，應用市場的更迭、供需關系的改變和存儲芯片的價格波動主導了眾多存儲公司的命運，催生了市場新格局。

　　行業廠商的起起伏伏也展示了市場判斷對于企業經營的重要性。存儲芯片市場由于其周期性和產線投產時間長等緣故，扎堆投資，就容易造成供過于求，進而使半導體公司出現虧損、生產線荒廢、人員解散，又會導致市場緊缺，價格上升，又開始建立新的或者改善原生產線。這種情況下，如何對市場周期進行預判，又如何度過低迷期，都對各家存儲企業提出了極高的要求。

　　當前，存儲市場再次吹起下行的寒風，存儲廠商在先進技術方面的競爭不見頹靡。

　　無論是第五代10nm級DRAM技術，還是更高層數堆疊的NAND Flash，存儲大廠都在積極發力，以保持市場領先地位，并滿足市場對高容量、高性能產品需求，呈現出持續發展的潛能。

　　與此同時，存儲廠商們也在布局未來的潛力市場。雖然移動、PC等消費市場呈現出疲軟態勢，但云、服務器、高性能運算、車用與工控等領域結構性增長需求不減，半導體市場結構化增長的特征，為存儲原廠的增長提供了堅實后盾。

　　盡管存儲市場需求近期疲軟，但長期需求趨勢依然強勁，數字化的浪潮已經不可逆轉，存儲市場長久來看必然是向更高更大的格局邁進。

　　回顧過往幾十年存儲行業發展脈絡，起起伏伏正如傳奇投資人John Templeton所言：“牛市在悲觀中萌生，在懷疑里成長，在樂觀中登頂，在亢奮里寂滅”。

　　存儲市場的興衰也大抵如此。