據業內信息報道，TransphormInc已經在深圳設立GaN場效應晶體管實驗室，并且已經全面投入運營，并為中國的客戶提供產品及服務。
TransphormInc是美國的半導體公司，主要業務是生產用于開關模式電源的氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)，其總部位于加利福尼亞州戈利塔，實加州大學圣巴巴拉分校(UCSB)的分支機構。
Transphorm設計生產的的GaN器件產品組合涵蓋了從45W~10kW+的功率范圍，因此該公司從適配器和計算到廣泛的工業和汽車大部分企業提供產品。
根據業內的數據，預計功率GaN市場到2027年將達到20億美元，對我們的GaN產品和資源的需求同步增長。
創始人兼總裁Primit·Parikh認為亞洲尤其是中國可以使Transphorm能夠從整個功率范圍內采用GaN，包括關鍵的專利解決方案，比如圖騰柱PFC和各種其他功率拓撲。
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