據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電3nm晶圓的價(jià)格可謂指數(shù)級(jí)增加，一片高達(dá)2萬(wàn)美元，約合14萬(wàn)人民幣。

造成臺(tái)積電先進(jìn)制程代工價(jià)居高不下的原因之一是其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子5/4nm及3nm GAA制程的良率低下。據(jù)Naver報(bào)道，三星3nm制程自量產(chǎn)以來(lái)，良率不超過(guò)20%，量產(chǎn)進(jìn)度陷入瓶頸。因此，與臺(tái)積電合作關(guān)系的穩(wěn)定性是目前多數(shù)芯片廠商考量的關(guān)鍵點(diǎn)。

目前，高通、聯(lián)發(fā)科與英偉達(dá)等廠商已預(yù)訂臺(tái)積電2023年、2024年的產(chǎn)能。隨著制程技術(shù)的逐代推進(jìn)，代工價(jià)格也不斷創(chuàng)新高。

如果后續(xù)加上研發(fā)、流片、封裝、報(bào)損、營(yíng)銷(xiāo)等成本，必然更加不菲。

此前有爆料稱，臺(tái)積電第一代3nm晶圓的月產(chǎn)能只有1萬(wàn)片/月，到底蘋(píng)果會(huì)不會(huì)用至今還是個(gè)謎。

據(jù)悉，臺(tái)積電在3nm上準(zhǔn)備了至少5種工藝，之后還有N3E、N3P、N3X和N3S。其中N3E也就是第二代3nm希望最大，性能相比5nm提升18%，功耗降低34%，密度增加70%，大規(guī)模量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)在明年二季度到三季度。

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