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利普思半導體獲近億元A輪融資,聚焦高可靠性SiC和IGBT模塊

2021-12-01
來源:全球半導體觀察整理
關鍵詞: 利普思半導體 SiC IGBT

近日,高性能SiC(碳化硅)模塊企業“利普思半導體”宣布完成近億元人民幣A輪融資。本輪融資由德聯資本領投,沃衍資本、飛圖創投跟投。該輪資金將主要用于公司無錫與日本研發設備投入,以及研發投入、管理運營和市場推廣。

據官方資料披露,利普思成立于2019年,專注高性能SiC與IGBT功率模塊的研發、生產和銷售,擁有創新的封裝材料和封裝技術,為新能源汽車、氫能車、光伏等行業應用的控制器提供小型化、輕量化和高效化的功率模塊解決方案。目前,公司已經申請專利26項,其中發明專利13項。

該公司使用的封裝材料以及加工技術,致力于為新能源車電驅動系統和逆變器的小型化、高效化和輕量化,提供完整的模塊應用解決方案。滿足高性能、高可靠性的新能源汽車及高端工業領域功率半導體模塊需求。

值得一提的是,今年7月,無錫利普思半導體有限公司投資建設的第三代功率半導體SiC模塊封裝線項目在無錫濱湖區開工,該項目計劃引進2條自動化程度較高的先進第三代功率半導體SiC模塊封裝生產線,包含全自動銀燒結機、真空焊接機、全自動端子機、測試機等進口設備。達產后可形成年產模塊產能50萬臺的生產能力。




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